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上海華力亮相CITE2018,55nm SONOS嵌入式閃存技術(shù)國際領(lǐng)先

作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時(shí)間:2018-04-21  瀏覽:34

第六屆電博會于4月9日-11日在深圳會展中心舉辦,展會規(guī)模超10萬平方米,中外參展商逾1800家,同期舉辦超過100場的行業(yè)研討活動,集中展示智能終端、人工智能、高端芯片、智能制造、智慧家庭等創(chuàng)新成果。

“工業(yè)4.0”、“中國制造2.0”、智能卡、物聯(lián)網(wǎng)、智能可穿戴設(shè)備、智能家居等不斷深入人們的日常生活,數(shù)據(jù)和信息安全也因此越來越重要。嵌入式閃存是以上領(lǐng)域得以快速發(fā)展的關(guān)鍵芯片和元器件。然而目前國際高端嵌入式閃存的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)都掌握在國外少數(shù)廠家手中。


通過技術(shù)創(chuàng)新,華力微電子在55納米嵌入式高可靠性、高競爭力、高質(zhì)量閃存領(lǐng)域的技術(shù)指標(biāo)和產(chǎn)品市場應(yīng)用已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平。就該款55nm SONOS嵌入式閃存的產(chǎn)品特點(diǎn)和優(yōu)勢,穎特新網(wǎng)采訪了華力微電子研發(fā)一部總監(jiān)邵華先生。



據(jù)邵華介紹,其產(chǎn)品優(yōu)勢主要體現(xiàn)在高可靠性和高質(zhì)量兩個(gè)方面:


其一、高可靠性:遠(yuǎn)高于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)保持能力


55納米SONOS閃存器件的最大難點(diǎn)在于其可靠性,而數(shù)據(jù)保持能力則是可靠性中最大的難關(guān)。華力對傳統(tǒng)的柵氧工藝模塊和工藝集成方案進(jìn)行大膽創(chuàng)新,研發(fā)了業(yè)界首創(chuàng)的“ISSG G1 First方案”,大幅降低了熱預(yù)算。使得嵌入式閃存產(chǎn)品在極端苛刻的50萬次擦寫后數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)保持壽命仍然可以達(dá)到20年,遠(yuǎn)高于業(yè)界的1萬次擦寫后數(shù)據(jù)保持10年的標(biāo)準(zhǔn),實(shí)現(xiàn)了高可靠性的應(yīng)用。



其二、高質(zhì)量:超低成本、高良率


華力55納米SONOS嵌入式閃存在55納米邏輯平臺上僅增加了4張光罩,與業(yè)界其它量產(chǎn)的55納米嵌入式閃存技術(shù)(需要額外加入9~12張光罩)有非常強(qiáng)的成本優(yōu)勢。另外在不采用冗余電路設(shè)計(jì)的條件下,通過晶圓邊緣WEE/EBR/ECP實(shí)驗(yàn)、CMP研磨壓力邊緣優(yōu)化、PH邊緣失焦優(yōu)化、缺陷邊緣定點(diǎn)監(jiān)測等等,大幅提升產(chǎn)品良率,據(jù)華力微電子研發(fā)一部總監(jiān)邵華介紹,目前華力55nm SONOS嵌入式閃存已經(jīng)到97%良率,優(yōu)勢明顯。


基于產(chǎn)品明顯優(yōu)勢,華力微電子憑借55nm SONOS嵌入式閃存獲得2017 CITE創(chuàng)新產(chǎn)品與應(yīng)用獎金獎,據(jù)了解該產(chǎn)品的主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)镮oT、MCU、智能卡等。


相關(guān)鏈接:關(guān)于華力


華虹集團(tuán)旗下上海華力成立于2010年1月,是國家“909”工程升級改造項(xiàng)目承擔(dān)主體,擁有中國大陸第一條全自動12英寸集成電路芯片制造生產(chǎn)線(以下簡稱“華虹五廠”),工藝技術(shù)覆蓋55-40-28納米各節(jié)點(diǎn),月產(chǎn)能達(dá)3.5萬片。目前在浦東康橋建設(shè)的第二條12英寸生產(chǎn)線(以下簡稱“華虹六廠”),設(shè)計(jì)月產(chǎn)能4萬片,肩負(fù)國家“909”工程二次升級改造的重任,工藝技術(shù)從28納米起步,最終將具備14納米三維工藝的高性能芯片生產(chǎn)能力。


華力提供廣泛的工藝技術(shù)平臺及配套IP解決方案,全面應(yīng)用于手機(jī)通信、消費(fèi)類電子、智能卡、物聯(lián)網(wǎng)、穿戴電子以及汽車電子等終端產(chǎn)品。華力采取先進(jìn)工藝和特色工藝兩方面同步發(fā)展策略,一方面遵循摩爾定律路線,建立了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的55-40-28納米邏輯工藝技術(shù)平臺,另一方面專注于差異化路線,重點(diǎn)布局射頻、高壓、嵌入式閃存、超低功耗、NOR閃存和圖像傳感器等特色工藝平臺,致力于為國內(nèi)外芯片設(shè)計(jì)公司、IDM公司和其他系統(tǒng)公司提供先進(jìn)的工藝技術(shù)和全面的芯片制造服務(wù)。

編輯:admin  最后修改時(shí)間:2018-04-21

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