電阻器/電容器/電感元件以外的第四元件，“憶阻器”將不再活在傳說(shuō)中
憶阻器是傳說(shuō)中電阻器、電容器和電感元件以外的電路第四元件，始終處于實(shí)驗(yàn)階段，但這個(gè)傳說(shuō)可能將實(shí)現(xiàn)。來(lái)自新加坡、美國(guó)和印度的國(guó)際團(tuán)隊(duì)研究出一種新型有機(jī)憶阻器，不只速度快且穩(wěn)定性高，保存資料的時(shí)間更打破原有紀(jì)錄。
憶阻器（Memristor）最早在 1971 年由加州大學(xué)柏克萊分校的蔡少棠教授提出，概念取自于“記憶”（Memory）和“電阻器”（Resistor）兩個(gè)字的組合。他認(rèn)為電阻、電容和電感代表電子學(xué)中電壓、電流、電荷和磁通量 4 項(xiàng)重要元素之間的關(guān)系，但代表電荷和磁通量之間關(guān)系的元件尚未存在，于是將其命名為憶阻器。
利用憶阻器的特性來(lái)打造存儲(chǔ)器，即使關(guān)閉電源也能保存資料的內(nèi)容，而且能以更小的空間儲(chǔ)存資料，足以取代現(xiàn)有的快閃存儲(chǔ)器。此外，憶阻器與人腦神經(jīng)突觸的屬性類似，可能可以幫助模擬人腦的特征，加速人工智能的進(jìn)展。但由于技術(shù)上的困難，憶阻器的概念提出時(shí)只被視為理論上的存在。
由新加坡大學(xué)、印度科學(xué)協(xié)會(huì)（IACS）和耶魯大學(xué)合作的國(guó)際團(tuán)隊(duì)選擇有機(jī)物為原料，打造新型的憶阻器。這款憶阻器由過(guò)渡金屬釕和有機(jī)材料“azo-aromatic ligands”所組成，而且即使成分有有機(jī)分子卻相當(dāng)穩(wěn)定。新型的有機(jī)憶阻器能在 50 奈秒內(nèi)切換狀態(tài)，并能在無(wú)電力狀況下保存資料長(zhǎng)達(dá) 11 天。更重要的是，這種有機(jī)憶阻器的原料既不罕見(jiàn)也不危險(xiǎn)，技術(shù)上易于制造且和現(xiàn)有技術(shù)相比，在成本具相當(dāng)競(jìng)爭(zhēng)力。團(tuán)隊(duì)領(lǐng)導(dǎo)人 Thirumalai Venky Venkatesan 表示，將尋求工業(yè)合作伙伴，以期發(fā)揮這項(xiàng)材料的功能。
雖然距離實(shí)際上市還要一段時(shí)間，但以這項(xiàng)憶阻器的容量和特性，如果產(chǎn)品真的成功，將大大顛覆整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)，并改變?nèi)藗兊娜粘Ｉ睢?/p>
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2024-07-08
