三星擴產(chǎn) 同業(yè)是否跟進 市場緊盯
三星電子挾在3D NAND Flash（儲存型閃存）領先優(yōu)勢，計劃在西安擴產(chǎn)，引起市場震撼。但內(nèi)存業(yè)者認為，要觀察其他廠是否有跟進動作，否則三星擴廠新增的產(chǎn)能，預料仍會被市場需求消化。
內(nèi)存業(yè)表示，三星提高資本支出增產(chǎn)3D NAND Flash，預估投產(chǎn)時間落為2019年，與內(nèi)存廠產(chǎn)出的時間相近，是否會引發(fā)市場供需陷入供過于求，目前還難斷定。
群聯(lián)電子董事長潘健成表示，3D NAND制程難度高，且需求相當強勁，主要制造大廠均表示未來三年的產(chǎn)能仍無法供應，因此預料三星增產(chǎn)3D NAND芯片，應是看好在3D NAND芯片取得較佳機會。
潘健成認為，至少二年內(nèi)，NAND芯片會一直缺貨，而且今年第3季將是史上最缺貨的一季。
此外，三星資本支出集中增產(chǎn)3D NAND Flash，目前雖未有增產(chǎn)DRAM計劃，但對DRAM廠而言，仍將處于供需平衡階段。業(yè)者也預期，目前各家都有節(jié)制的增產(chǎn)，透過技術升級達到增加產(chǎn)出，未見投資新廠，但后續(xù)得密切觀察三星在內(nèi)存的產(chǎn)能挪移。
南亞科估計，今年DRAM也是處于缺貨的一年，下半年以第3季缺貨程度最高，缺口估有1%~2%，預料進入傳統(tǒng)備貨旺季，DRAM價格會再看漲。
編輯：admin 最后修改時間：2018-01-05
