美光出重手反擊
DRAM大廠美光出重手反擊陸廠挖角行動，上月配合臺灣檢調(diào)單位，針對前華亞科及前瑞晶關(guān)鍵制程和研發(fā)人員跳槽至對岸或協(xié)助國內(nèi)廠進(jìn)行DRAM研發(fā)，大規(guī)模展開搜索，并限制相關(guān)人員出境，估計有上百人遭到約談及搜索，在業(yè)界掀起極大震撼。
美光昨天證實已向檢調(diào)單位提出重要信息遭盜用，并配合檢調(diào)單位進(jìn)行調(diào)查，但因進(jìn)入司法調(diào)查程序，對到底有多少人遭到調(diào)查，目前暫無法對外提供。
消息人士透露，這波遭到美光反制，透過司法途徑對從美光并購后的前華亞科和瑞晶員工展開搜索行動，應(yīng)是已掌握相關(guān)人員竊取營業(yè)和技術(shù)資料跳槽至內(nèi)地公司或協(xié)助內(nèi)地DRAM研發(fā)的臺灣半導(dǎo)體廠。
遭到搜索的相關(guān)人員尤其集中華亞科員工。據(jù)了解，在美光提出并購華亞科全數(shù)股權(quán)后，已有近兩百名員工跳槽至合肥長鑫、紫光集團(tuán)和福建晉華等公司，因為相關(guān)發(fā)展DRAM公司祭出比臺灣二至三倍高薪，全力挖角。
但紫光集團(tuán)透過管理澄清，目前挖角前華亞科的員工多數(shù)是屬于建廠相關(guān)事務(wù)人員，紫光集團(tuán)決定朝自主研發(fā)DRAM、儲存型閃存（NAND Flash）等，目前重心先投入3D NAND Flash研發(fā)。
美光展開司法反制行動，確已收到強(qiáng)大恫嚇和阻撓陸廠開發(fā)DRAM腳步，據(jù)了解，跳槽至福建晉華負(fù)責(zé)研發(fā)利基型DRAM的多位重要成員，也是這次遭到調(diào)查和限制出境的對象；由福建晉華出資設(shè)在聯(lián)電南科廠的試產(chǎn)線已暫時停止，正由檢查人員進(jìn)行調(diào)查。
編輯：admin 最后修改時間：2018-01-05
