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KAIST 告三星、高通侵犯 FinFET 專利,臺積電、蘋果也恐遭殃

作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時間:2018-01-05  瀏覽:16

韓國媒體朝鮮日報、東亞日報1日報導(dǎo),韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)專利管理子公司KAIST IP于11月30日向德州聯(lián)邦地方法院提起專利侵權(quán)訴訟,控告三星電子、高通(Qualcomm)和格羅方德(GlobalFoundries)擅自盜用其所擁有的“FinFET”技術(shù)專利,要求支付專利使用費。

KAIST IP指出,“長期以來持續(xù)和三星就支付使用費一事進行協(xié)商,不過三星全面拒絕,導(dǎo)致協(xié)商破裂。且除了三星、高通和格羅方格之外,今后也計劃對臺灣臺積電、蘋果(Apple)提告”。

KAIST IP表示,三星、格羅方格、臺積電使用FinFET技術(shù)生產(chǎn)、銷售手機芯片,但卻不支付使用費。三星、格羅方格供應(yīng)芯片給高通,臺積電則幫蘋果生產(chǎn)iPhone用芯片。

據(jù)報導(dǎo),三星關(guān)系人士表示,“目前正在掌握訴狀內(nèi)容。三星從2000年代初期就研發(fā)3D半導(dǎo)體技術(shù),并擁有FinFET技術(shù)相關(guān)的自家專利”。


編輯:admin  最后修改時間:2018-01-05

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