中國存儲三大勢力成形，開產(chǎn)能、急建廠力拼 2018 量產(chǎn)
存儲產(chǎn)業(yè)在歷經(jīng)價(jià)格血戰(zhàn)成了三強(qiáng)鼎立的寡占市場，中國在市場、國安考慮力求在存儲有所突圍，原先的紫光、武漢新芯從各自進(jìn)擊到合體發(fā)展，另外兩組勢力在聯(lián)電、中芯老將輔佐下也積極展開布局，中國存儲鐵三角逐步成形。
紫光集團(tuán)先前欲并購美光、與SK海力士談授權(quán)最后都無疾而終，最終與獲得中國存儲統(tǒng)籌資源的武漢新芯合并，進(jìn)一步成立長江存儲公司，由紫光董事長趙偉國兼任長江存儲董事長，大基金總經(jīng)理丁文武出任副董事長，并由原武漢新芯CEO楊士寧出任總經(jīng)理負(fù)責(zé)NANDFlash擘劃，轉(zhuǎn)戰(zhàn)紫光的前華亞科董事長則任長江存儲營運(yùn)長重起爐灶籌備DRAM建廠。
武漢新芯存儲基地已在2016年3月底動(dòng)土，根據(jù)科技新報(bào)先前取得的消息，新的存儲基地將分三期，總規(guī)劃面積約100萬平方米，一期于8月開工、預(yù)計(jì)2018年建設(shè)完成，月產(chǎn)能約20萬片，而官方目標(biāo)到2020年基地總產(chǎn)能達(dá)30萬片/月、2030年來到100萬片/月。第一步已與NOR內(nèi)存廠商飛索半導(dǎo)體（Spansion）簽訂技術(shù)授權(quán)，從3D NAND Flash下手，并預(yù)計(jì)2017有能力推出32層堆疊、2018年推出48層堆疊3D NAND Flash。在DRAM進(jìn)展上與美光洽談技術(shù)授權(quán)還未有眉目，也有消息指出，高啟全正招兵買馬透過人脈挖角中國臺灣地區(qū)DRAM相關(guān)人才，或?yàn)榻◤S做準(zhǔn)備。
在DRAM進(jìn)展有較大突破的為福建后起勢力，福建省政府在5月宣布，所投資的晉華集成與聯(lián)電簽訂技術(shù)合作協(xié)定，由聯(lián)電接受晉華委托開發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)，生產(chǎn)利基型DRAM，團(tuán)隊(duì)由瑞晶、美光臺灣前總經(jīng)理、現(xiàn)任聯(lián)電資深副總經(jīng)理陳正坤領(lǐng)軍，在7月12寸廠建廠奠基的同時(shí)，已在中國臺灣地區(qū)的南科建立小型試產(chǎn)線，據(jù)了解初期將導(dǎo)入32納米，但最終目標(biāo)其實(shí)放在25納米以下制程，以求與其他DRAM大廠不致有太大落差，初步產(chǎn)能規(guī)劃每月6萬片，估計(jì)2017年底完成技術(shù)開發(fā)，2018年9月試產(chǎn)，并在2019年以前將產(chǎn)線移轉(zhuǎn)至福建新廠。
而合肥欲起的DRAM勢力在前爾必達(dá)社長坂本幸雄淡出合肥后，由中國本土NORFlash廠商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）與中芯國際前CEO王寧國所主導(dǎo)，先前市場傳出兆易創(chuàng)新將與武岳峰等中國基金并購的美國DRAM廠ISSI合并，成為長江存儲后，另一家DRAM/NAND Flash發(fā)展兼具的內(nèi)存廠商。然目前還未傳出團(tuán)隊(duì)有相關(guān)建廠消息。
除了三廠競逐成為焦點(diǎn)，團(tuán)隊(duì)主導(dǎo)人也頗有淵源，主導(dǎo)合肥團(tuán)隊(duì)的王寧國與長江存儲總經(jīng)理?xiàng)钍繉幫瑯映錾碇行緡H，先前兩派人馬在中芯斗爭多年甚至躍上新聞版面，如今再度碰頭；而現(xiàn)任長江存儲營運(yùn)長的高啟全與聯(lián)電資深副總經(jīng)理陳正坤，相繼待過華亞科、美光體系，中國內(nèi)存爭戰(zhàn)熟人相爭就看誰能帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)率先出線。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-01-05
