2017 年中國將推自主生產 32 層堆疊 3D NAND 閃存
隨著當前智能手機、SSD等產品的市場需求強烈，包括閃存、內存等儲存芯片需求大量成長，近期價格也擺脫低潮，持續(xù)上漲，這樣的機會點也給了中國相關企業(yè)介入儲存芯片市場的發(fā)展契機。根據外電的報導，在這波儲存芯片的熱潮下，中國本身也將在2017年推出32層堆疊的3D NAND閃存。雖然，這樣的技術相較韓國三星、日本東芝等國際大廠來說仍有落差，但總是為中國閃存市場跨出第一步。
在中國發(fā)展半導體產業(yè)的規(guī)劃中，儲存芯片的發(fā)展名列最優(yōu)先位置，也是全國各地都搶著爭取的項目。其中，中國國家級的儲存芯片基地在武漢，目前投資超過240億美元。之前由新芯科技主導，在2016年7月份紫光集團收購了新芯科技大多數股權之后，現在已經變成了紫光集團主導，并預計2017年正式推出自主生產的32層堆疊3D NAND閃存。
2015年，國家級儲存芯片基地確定落腳武漢之后，由武漢新芯科技公司負責建設的12寸晶圓廠，已經于2016年3月份正式動工。整個計劃預計分為三期，現在啟動的是第一期，主要目標是生產3DNAND閃存為主。而在2018年將啟動的第二期建設，規(guī)劃是上則是以DRAM內存為主。至于，2019年啟動第三期建設，主要目標則為晶圓代工服務。而產能部分，2020年目標為每月30萬片，到了2030年則是每月100萬片。
2016年7月份，紫光集團收購了新芯科技多數股份之后，隨即成立了武漢長江存儲科技（TRST），紫光集團持股超過50%，董事長趙偉國也將兼任長江存儲科技的董事長。這事情所顯示出的意義，即是紫光集團在收購美光觸礁，并購WD也不成功的情況下，現在總算是可以正式進軍儲存芯片領域。而且根據規(guī)劃，長江存儲最快在2017年底，就將正式推出中國本土生產的32層堆疊3D NAND閃存。
過去，新芯科技主要以生產NOR閃存為主，而當前的NAND閃存其技術層次要高于NOR閃存，而主要技術來源是飛索半導體（Spansion）。因此，考慮到與國際大廠三星、Hynix、東芝、美光、Intel等公司的技術差距，中國本土生產的32層堆疊3D NAND閃存的其已經有一定的技術層次。只是，2017年底推出時，這些國際大廠包括48層堆疊，甚至是64層堆疊的3D NAND閃存可能早已經問世。
不過，在中國自主發(fā)展儲存芯片的政策，而且相關業(yè)者在政府扶持的情況下，未來技術上依舊會持續(xù)追趕。以新芯科技來說，在2017年推出32層堆疊3D NAND閃存，也預計將在2018年底前推出48層堆疊的3D NAND閃存，逐步縮小技術上的差距。
編輯：admin 最后修改時間：2018-01-05
