臺積電 7 納米傳 2017 年 4 月可接單
臺積電7納米晶圓制程進度飛快，繼先前傳出要在2018年第一季放量生產(chǎn)7納米芯片，比英特爾（IntelCorp.）足足快3年之后，最新消息顯示，臺積電內(nèi)部預估，7納米最快明（2017）年4月就可開始接受客戶下單。
WCCFtech 25日報導，臺積電研發(fā)單位已在內(nèi)部會議中，揭露未來幾年的最新研發(fā)藍圖，根據(jù)幾名資深高層的說法，該公司今年底就會轉(zhuǎn)換至10納米，7納米則會在明年試產(chǎn)，估計明年4月就可接單，而16納米FinFET compact制程（FFC，比16FF+更精密）也將在今年導入。7納米制程可大幅提升省電效能（時脈約3.8Ghz、核心電壓（vcore）達1V），臨界電壓（threshold voltage）最低可達0.4V，適用溫度約為150度。
報導稱，跟16FF+相較，10納米FinFET制程可讓芯片尺寸縮小50%、運算效能拉高50%、耗電量降低40%。相較之下，7納米（采的應該是FinFET制程）的運算效能只能拉高15%、耗電量降低35%，電晶體密度增加163%，改善幅度遠不如10納米。這是因為，臺積電的10納米FinFET制程大約等同英特爾的14納米，7納米制程則大致跟英特爾的10納米相當、甚至較遜。
AMD早已暗示會從16納米制程直接跳至7納米，但晶圓代工合作伙伴格羅方德（GlobalFoundries）的7納米卻要等到2018年才會試產(chǎn)，比臺積電晚了近一年之久。AMD早已修改了協(xié)議，合作伙伴不再僅限于格羅方德，假如臺積電的制程遠優(yōu)，那么AMD完全有可能倒戈投向臺積電的懷抱。
編輯：admin 最后修改時間：2018-01-05
