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美光首個 3D NAND 芯片送樣,打破三星獨(dú)霸局面

作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時間:2018-01-05  瀏覽:23

內(nèi)存的3DNAND Flash大戰(zhàn)即將開打!目前3DNAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn),但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND芯片,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨(dú)大的情況將畫下句點(diǎn)。

TechRadar、ComputerWorld報導(dǎo),美光9日宣布開發(fā)出該公司第一款3D NAND芯片,采48層堆疊,容量為32GB。這款3D NAND將用于中高端智能手機(jī),支持全新的儲存標(biāo)準(zhǔn)UFS2.1。

美光宣稱,新品效能比前代提升40%,尺寸更是業(yè)界最小,美光的3D NAND晶粒(die)比相同效能的平面NAND晶粒,體積縮小30%。新品已送樣給移動設(shè)備廠,預(yù)定今年底廣泛出貨。

美光移動業(yè)務(wù)部門發(fā)言人DanBingham說,該公司第二代3DNAND將為64層,研發(fā)時程尚未公布。為了支持虛擬現(xiàn)實(shí)和串流影片需求,移動設(shè)備的內(nèi)存容量不斷增加,美光預(yù)估,2020年智能手機(jī)的內(nèi)建內(nèi)存或許會有1TB,和電腦差不多。

霸榮(Barronˋs)9日刊出Pacific Crest報告,內(nèi)容預(yù)測3D NAND時代將要到來。報告稱,英特爾、美光、SK海力士(SK Hynix)、東芝、Western Digital的3D NAND應(yīng)該很快就會上市。估計第三、四季3DNAND產(chǎn)品將會大增。英特爾和美光的產(chǎn)品已經(jīng)差不多就緒,東芝和SK海力士則可能在Q4出貨。

Pacific Crest認(rèn)為,3D NAND戰(zhàn)役中,美光情勢有利。該公司的3D NAND盡管層數(shù)較少,但是密度高,而且美光無可損失。



編輯:admin  最后修改時間:2018-01-05

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