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創(chuàng)新電容器在醫(yī)療電子中最佳應用方案

作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時間:2018-01-05  瀏覽:18

電容器被廣泛應用于電子醫(yī)療設(shè)備來過濾高、低頻噪聲,用作大容量的儲能器件,以及用于諧振電路和定時電路。
  
開關(guān)電源中的電容
  
電子醫(yī)療器械中,需要對電源進行高精度的控制和調(diào)節(jié),才能支持設(shè)備執(zhí)行每一功能。交、直流電源均被廣泛應用于這些場合。開關(guān)電源用于對這些電源進行控制,由于具有顯著優(yōu)點,開關(guān)電源已成為大部分電子產(chǎn)品的標準電源。
  
電容可用來減少紋波并吸收開關(guān)穩(wěn)壓器產(chǎn)生的噪聲,它還可以用于后級穩(wěn)壓,提高設(shè)備的穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應能力。電源輸出中不應出現(xiàn)任何紋波噪聲或殘留抖動。這些電路常采用鉭電容來降低紋波,但鉭電容有可能受到開關(guān)穩(wěn)壓器的噪聲影響而產(chǎn)生不安全的瞬變現(xiàn)象。
  
為保證可靠工作,必須降低的額定電壓。例如,額定值為10uF/35V的D型鉭電容,工作電壓應降低到17V,如果用在電源輸入端過濾紋波,額定35V鉭電容可在高達17V的電壓導軌上可靠地工作。
  
高壓電源總線系統(tǒng)一般很難達到額定電壓降低50%的指標。這種情況限制了鉭電容用于電壓導軌大于28V的應用。目前,由于鉭電容需要被降額使用,高壓濾波應用唯一可行的辦法是采用體積較大且?guī)б的電解電容,而不是鉭電容。
  
新型鉭電容
  
為解決降低額定電壓的問題,Vishay研發(fā)部門開發(fā)出了具有更高額定電壓等級的新系列SMD固體鉭電容器,額定電壓高達75WVDC。50V額定電壓電容在28V以及更高電壓導軌中的應用引起了設(shè)計人員的擔心,而采用Vishay新型的63V和75V鉭電容,可達到額定電壓降低50%的行業(yè)認可安全指標。電介質(zhì)成形更薄、更一致,使SMD固體鉭電容的額定電壓能夠達到75V,從而實現(xiàn)了提高額定電壓的技術(shù)突破。成形工藝中對多道工序進行了改進:降低了成形加工過程中產(chǎn)生的機械應力集中,降低了電容成形過程中電解液的局部過熱,提高了電介質(zhì)成形過程中電解液濃度和純度的一致性。新型電容T97系列的額定電壓達75V,83系列達63V。
  
無線感應耦合充電
  
大量的感應充電器采用返馳式轉(zhuǎn)換器。感應充電為醫(yī)療設(shè)備電池提供充電電能,同時,感應充電器也被用于大量的便攜式設(shè)備(如牙刷)中。
  
縮小充電電池尺寸有助于減小采用無線感應充電電路的植入式醫(yī)療設(shè)備的體積。無線感應充電器可為設(shè)備上安裝的微小薄膜(如Cymbet EnerChip)充電式儲能器件安全地充電。感應充電器采用了并聯(lián)LC(電感、電容)諧振儲能電路的工作原理。圖1所示為Cymbet公司的CBC-EVAL-11 RF感應充電器評估套件。

111.jpg
  
Vishay 595D系列1000uF鉭電容(圖1中橘黃 色器件)被用作Cymbet接收電路板的C5電容,為無線電發(fā)射等負載提供脈沖電流。
  
此款感應充電器的輸入與輸出之間具有良好的隔離,這是醫(yī)用設(shè)備的重要要求。
  
在一些電壓較高的感應充電器應用中,需要采用高壓穩(wěn)定的電容作為諧振電容。由于感應充電器的初級線圈需要采用交流電壓驅(qū)動,因此必須對電容進行相應的調(diào)整。感應充電器需要具備高擊穿電壓(VBD)性能,同時,某些應用中還需要防護高壓電弧放電。為避免電弧放電,電路板一般敷有保護涂層,或者通過合理安排元器件布局達到高壓側(cè)與電路板其他部分隔離的效果,等。但這種方法往往需要很大的電路板空間,因為高壓電路通常采用體積較大的引線型通孔插裝電容。
  
高壓電弧防護電容解決方案
  
為解決這一問題,Vishay推出了一系列的HVArc(高壓電。┓雷oMLCC(多層貼片陶瓷電容),可防止電弧放電,同時節(jié)省空間。這些新器件在較高的電壓定額內(nèi)具有最大容量,并且提高了電壓擊穿的耐受能力。高壓電弧放電會造成斷路,并有可能損壞其他元器件。標準的高壓SMD電容最終將會失效短路,這取決于電弧放電的次數(shù)和存在問題的部分。Vishay HVArc防護電容可以吸收所有的能量,因此,此電容能夠在高壓下進行正常工作,至少在達到高壓擊穿極限之前,不會產(chǎn)生破壞性電弧放電。
  
HVArc防護電容的VBD分布由器件采用的獨特設(shè)計來控制,VBD可達3kV或以上。本產(chǎn)品采用了NPO和X7R電介質(zhì)。
 
用于MRI的新型無磁電容
  
磁共振成像(MRI)設(shè)備內(nèi)部或周邊電路中所使用的電容及其他電子元器件需要屏蔽或封裝在MRI室外。電容的電介質(zhì)、電極材料或端接材料中可能含有鐵質(zhì)或磁性材料。為提高圖像分辨率,MRI系統(tǒng)的磁場水平不斷提高,而MRI室內(nèi)使用的電容會造成磁場畸變。因此,需要減少或完全消除大部分電容中的磁性材料。
  
最新推出的系列MLCC在電極和端接結(jié)構(gòu)中采用非鐵材料,來滿足消除磁化的要求。無磁結(jié)構(gòu)可以采用X7R和NPO電介質(zhì)。外形尺寸為0402至1812,符合EIA規(guī)格。Vishay還在最終測試時采用了專用電容分選設(shè)備,以確保所有無磁電容均能符合技術(shù)要求。

編輯:admin  最后修改時間:2018-01-05

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