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中國“芯”產(chǎn)能爆發(fā),包下全球近兩年逾五成新增產(chǎn)能

作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時間:2018-01-05  瀏覽:22

中國砸銀彈扶植半導(dǎo)體進(jìn)度、成效驚人,國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SemiconductorEquipment and Materials International,SEMI)10日發(fā)布最新報告指出,今明兩年全球新增的半導(dǎo)體產(chǎn)能,預(yù)估有超過一半都將來自中國。

據(jù)SEMI表示,全球2016-2017年共將興建17座半導(dǎo)體廠,當(dāng)中有10座設(shè)在中國,其中兩座生產(chǎn)內(nèi)存、晶圓代工4座、剩余四座規(guī)模較小,主要生產(chǎn)類比式芯片、微機(jī)電系統(tǒng)(MicroElectro Mechanical Systems)與LED等。對照日、韓同期間僅新增一座內(nèi)存產(chǎn)線。(韓國經(jīng)濟(jì)日報)

全球半導(dǎo)體投資不分海內(nèi)外均向中國集中,這是中國傾國家之力發(fā)展半導(dǎo)體所創(chuàng)造的結(jié)果。中芯國際(SMIC)、學(xué)莫愁(XMC Limited)目前都在蓋新廠,英特爾與臺積電在中國也有大規(guī)模投資計劃正在進(jìn)行。

據(jù)統(tǒng)計,今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)能投資金額上看360億美元,較2015年成長1.5%,明年更將成長13%至407億美元,其中多數(shù)將用于投資3DNAND快閃內(nèi)存與10納米晶圓廠。



編輯:admin  最后修改時間:2018-01-05

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