決戰(zhàn) 7 納米先進制程 臺積電、三星與格羅方德爭第一
在全球晶圓代工廠積極搶攻7納米先進制程，都想在7納米制程領域搶下龍頭寶座的情況之下，三大陣營臺積電（TSMC）、三星、以及由IBM提供協助的格羅方德（GlobalFoundries）誰最后終將出線，結果將牽動全球半導體市場的生態(tài)。
外媒表示：2016年晶圓代工的主流制程是14及16納米的FinFET制程，其主要業(yè)者包含了英特爾（Intel）、臺積電及三星/格羅方德三大陣營，而且戰(zhàn)場延伸到下一代10納米先進制程，同樣的此三大陣營都宣布將在2017年量產。不過，由于10納米制程主要針對低功耗移動芯片的生產。因此，更先進一代的7納米才被認為是首次突破10納米極限的高性能先進制程，而也是三方爭搶的重點。
目前，臺積電及三星都準備在7納米先進制程上搶先發(fā)，而在此前缺席了的格羅方德這一次決定擺回劣勢，誓言在7納米制程領先。不過，過往在14納米及10納米都有參與的英特爾，在7納米制程上表態(tài)很謹慎。因為要與臺積電與三星競爭3個世代以上的制程，使得英特爾的7納米制程至少要等到2020年才有機會量產。但是，相對于英特爾而言，臺積電和三星就顯得積極許多。
在三星的部分，前不久投資巨資購入了EUV光刻機，希望在2017年開始試產7納米制程，而臺積電則是透過CEO劉德音表態(tài)指出，7納米制程的SRAM良率已經達30%到40%，將會是業(yè)界首家通過7納米制程認證的半導體公司。至于，過去在14納米制程時代，進度落后三星及臺積電的格羅方德，雖放棄自行研發(fā)14納米制程技術，改轉而選擇了三星14納米的FinFET制程技術授權。不過，2014年在收購了IBM的晶圓廠業(yè)務之后，格羅方德希望急起直追，在7納米制程上拔的頭籌。
據了解，格羅方德在收購IBM的晶圓廠業(yè)務中獲得了大量有經驗的員工，這對推動新制程研發(fā)很有幫助。而且，2015年7月份，格羅方德聯合IBM、三星及紐約州立大學已經率先推出了7納米制程，使得格羅方德逐漸成為一股在晶圓代工業(yè)務上不可忽視的力量。日前格羅方德的CTO，高級副總經理Gary Patton表示，他們的7納米制程進展已經積極的縮減了新制程的門檻距離。
Patton表示，目前格羅方德在紐約州馬爾他市的晶圓廠正在量產14納米制程，這為他們開發(fā)更先進的工藝奠定了基礎。而對于7納米制程，Patton表示即便沒有EUV工藝，他們的新制程也能降低晶圓成本。按照Patton的預計，格羅方德的EUV制程預計會在2018年或2019年會少量投產，并且于2020年正式量產。
編輯：admin 最后修改時間：2017-12-13
