東芝采用第八代工藝打造高性能低導(dǎo)通電阻MOSFET
東芝公司(Toshiba Corporation)推出了一款低導(dǎo)通電阻MOSFET——TPN2R503NC。該產(chǎn)品采用最新的第八代工藝打造，可用于鋰離子電池保護(hù)電路和手機(jī)電源管理開(kāi)關(guān)。其他兩款第八代產(chǎn)品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被添加到該產(chǎn)品系列中，成為現(xiàn)有型號(hào)的換代產(chǎn)品。所有三款產(chǎn)品均有助于降低設(shè)備厚度和總體尺寸，并可提高效率。
應(yīng)用
1. 鋰離子電池保護(hù)電路
2. 手機(jī)電源管理開(kāi)關(guān)
主要特點(diǎn)
1. 由于采用了最新的第八代工藝，因此產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻比現(xiàn)有的東芝產(chǎn)品要低。
2. 采用了TSON Advance封裝，可提供出色的散熱性能。
3. 高抗雪崩性能。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2017-12-13
