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德州儀器超小型 FemtoFET? MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時(shí)間:2017-12-13  瀏覽:19

日前,德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝,支持不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻.


三個(gè) N 通道及三個(gè) P 通道 FemtoFET MOSFET 均采用平面柵格陣列 (LGA) 封裝,與芯片級(jí)封裝 (CSP) 相比,其可將板積空間銳減 40%。CSD17381F4 與 CSD25481F4 支持不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻,比目前市場(chǎng)上類似器件低 70%。所有 FemtoFET MOSFET 均提供超過 4000V 的人體模型 (HVM) 靜電放電 (ESD) 保護(hù)。


部件號(hào)

通道

BVdss

(V)

Vgs

(V)

典型導(dǎo)通電阻(歐姆)

Id(Ta = 25°C時(shí))

(A)

1.8V

2.5V

4.5V

CSD17381F4

N

30

12

160

110

90

3.1

CSD17483F4

N

30

12

370

240

200

1.5

CSD13381F4

N

12

8

310

170

140

2.1

CSD25481F4

P

-20

-12

395

145

90

-2.5

CSD25483F4

P

-20

-12

580

338

210

-1.6

CSD23381F4

P

-12

-8

480

250

150

-2.3

FemtoFET MOSFET 歸屬 TI NexFET 功率 MOSFET 產(chǎn)品系列,該系列還包括適用于手機(jī)等便攜式應(yīng)用的 CSD25213W10 P 通道器件以及 CSD13303W1015 N 通道器件等。TI 提供 LP5907 大電流低壓降 (LDO) 線性穩(wěn)壓器以及 TPS65090 前端電源管理單元 (PMU) 等各種系列的電源管理產(chǎn)品,可為手持應(yīng)用節(jié)省板級(jí)空間,降低功耗。

FemtoFET MOSFET 系列的主要特性與優(yōu)勢(shì)

· 不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻比類似器件低 70%,可節(jié)省電源,延長(zhǎng)電池使用壽命;

· FemtoFET 0.6 毫米 × 1.0 毫米 × 0.35 毫米的 LGA 封裝比標(biāo)準(zhǔn) CSP 小 40%;

· 1.5A 至 3.1A 的持續(xù)漏極電流值與當(dāng)前市場(chǎng)類似尺寸器件相比,可提供超過 2 倍的性能。




編輯:admin  最后修改時(shí)間:2017-12-13

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