Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻
日前，Vishay宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便攜式計(jì)算和工業(yè)控制設(shè)備中的電源效率，是-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的-12V和-20V器件，占位面積為3.0mm x 1.9mm x 3.3mm。
Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN適用于智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、工業(yè)傳感器和POL模塊里的電源管理等各種應(yīng)用中的負(fù)載、電池和監(jiān)控開(kāi)關(guān)。器件的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計(jì)者能夠在其電路里實(shí)現(xiàn)更低的電壓降，更高效地使用電能，延長(zhǎng)電池使用壽命。
在節(jié)省PCB空間是首要因素的應(yīng)用里，-12V Si5411EDU不但具有8.2mΩ(-4.5V)和11.7mΩ(-2.5V)低導(dǎo)通電阻，而且3.0mm x 1.9mm PowerPAK ChipFET封裝具有明顯優(yōu)勢(shì)。當(dāng)需要更高的電壓等級(jí)時(shí)，-20 V Si5415AEDU可滿足需求，具有
9.6mΩ(-4.5V)和13.2mΩ(-2.5V)的低導(dǎo)通電阻。兩款器件的典型ESD保護(hù)為5000V。對(duì)于需要極低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用，SiSS23DN的4.5m?(-4.5V)和6.3m?(-2.5V)導(dǎo)通電阻可滿足需求，3.3mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封裝的高度低至0.75mm。
Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN進(jìn)行了100%的Rg和UIS測(cè)試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無(wú)鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。
器件規(guī)格表：
器件型號(hào) | Si5411EDU | Si5415AEDU | SiSS23DN | |
VDS(V) | -12 | -20 | -20 | |
VGS(V) | ± 8 | ± 8 | ± 8 | |
RDS(ON)(m?) @ | 4.5 V | 8.2 | 9.6 | 4.5 |
3.7 V | 9.4 | - | - | |
2.5 V | 11.7 | 13.2 | 6.3 | |
1.8 V | 20.6 | 22.0 | 11.5 | |
封裝 | PowerPAK ChipFET | PowerPAK ChipFET | PowerPAK 1212-8S | |
Vishay的P溝道Gen III系列包括60余款器件，占位面積從5mm x 6mm到0.8mm x 0.8mm。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2017-12-13
