飛利浦稱研制出業(yè)界新型高性能MEMS電容
該器件是一種精微可變電容，采用傳統(tǒng)晶圓加工工藝即可被集成進硅IC內(nèi)。飛利浦研究院聲稱，最大和最小電容比率高達17，Q因子高達500，因此事實上超越了迄今為止所報道的所有其它類型的器件。
這片MEMS在硅片上部的金屬層的一塊區(qū)域下，蝕刻出一條能夠通過所加電壓產(chǎn)生的靜電吸引而上下移動的金屬梁。在MEMS電容開關(guān)動作的情況下，它移動到與梁下面介電質(zhì)層接觸的位置。飛利浦用于制造附帶高Q值電感和固定值MIM(金屬-絕緣體-金屬)電容的MEMS電容所采用的加工工藝名為PASSI。
PASSI/MEMS據(jù)稱能減小手機功放及其天線之間阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的尺寸，所需的PCB面積比當今的分立元件網(wǎng)絡(luò)小一半。
為了節(jié)省功率而利用了動態(tài)匹配，以精確匹配所有RF功率級到天線的放大器。飛利浦研究院還采用了MEMS電容技術(shù)制造RF MEMS開關(guān)。該公司表示將用MEMS器件取代PIN二極管開關(guān)。
編輯：admin 最后修改時間：2017-12-13
