電容在EMC設(shè)計中的應(yīng)用技巧
摘 要:電容是EMC設(shè)計中應(yīng)用最廣泛的元件之一。實踐表明:在EMC設(shè)計中,恰當選擇與使用電容能解決許多EMI問題。但是,若電容的選擇或使用不當,則可能根本達不到預(yù)期的目的,甚至?xí)觿MI程度。根據(jù)EMC設(shè)計原理和不同結(jié)構(gòu)電容的特點,結(jié)合相關(guān)研究的新進展,針對電容在EMC設(shè)計中的一些不恰當?shù)恼J識與做法,討論了電容在EMC設(shè)計中的應(yīng)用技巧。對EMC設(shè)計具有指導(dǎo)作用。
在EMC設(shè)計中,電容是應(yīng)用最廣泛的元件之一,主要用于構(gòu)成各種低通濾波器或用作去耦電容和旁路電容。大量實踐表明:在EMC設(shè)計中,恰當選擇與使用電容,不僅可解決許多EMI問題,而且能充分體現(xiàn)效果良好、價格低廉、使用方便的優(yōu)點。若電容的選擇或使用不當,則可能根本達不到預(yù)期的目的,甚至?xí)觿MI程度。
本文根據(jù)EMC設(shè)計原理和不同結(jié)構(gòu)電容的特點,結(jié)合相關(guān)研究的新進展,針對電容在EMC設(shè)計中的一些不恰當?shù)恼J識與做法,討論了電容在EMC設(shè)計中的應(yīng)用技巧。對EMC設(shè)計具有指導(dǎo)作用。
1 濾波器結(jié)構(gòu)的選擇
EMC設(shè)計中的濾波器通常指由L,C構(gòu)成的低通濾波器。不同結(jié)構(gòu)的濾波器的主要區(qū)別之一,是其中的電容與電感的聯(lián)接方式不同。濾波器的有效性不僅與其結(jié)構(gòu)有關(guān),而且還與聯(lián)結(jié)的網(wǎng)絡(luò)的阻抗有關(guān)。如單個電容的濾波器在高阻抗電路中效果很好,而在低阻抗電路中效果很差。
傳統(tǒng)上,在濾波器兩端的端接阻抗為50Ω的條件下描述濾波器的特性(這一點往往未被注意),因為這對測試方便,并且是符合射頻標準的。但是,實踐中源阻抗ZS和負載阻抗ZL很復(fù)雜,并且在要抑制的頻率點上可能是未知的。如果濾波器的一端或兩端與電抗性元件相聯(lián)結(jié),則可能會產(chǎn)生諧振,使某些頻率點的插入損耗變?yōu)椴迦朐鲆妗?/p>
可見,正確選擇濾波器的結(jié)構(gòu)至關(guān)重要。究竟是選擇電容、電感還是兩者的組合,是由所謂的“最大不匹配原則”決定的。簡言之,在任何濾波器中,電容兩端存在高阻抗,電感兩端存在低阻抗。圖1是利用最大不匹配原則得到的濾波器的結(jié)構(gòu)與ZS和ZL的配合關(guān)系,每種情形給出了兩種結(jié)構(gòu)及相應(yīng)的衰減斜率(n表示濾波器中電容元件和電感元件的總數(shù))。
但是,如何判定ZS和ZL的值是高或低,一些資料上并未作具體說明[1,2],實踐中也往往不清楚。
ZS和ZL的所謂的高值或低值的臨界選取有一定的隨機性,選取50Ω作為邊界值是比較合適的。順便指出,在電子電路中,因信號一般較弱,而RC低通濾波器對信號有一定的衰減,故很少使用。
2 自諧振頻率與截止頻率
2.1 去耦電容的自諧振頻率
實際的電容都有寄生電感LS。LS的大小基本上取決于引線的長度,對圓形、導(dǎo)線類型的引線,LS的典型值為10nH/cm[3]。典型的陶瓷電容的引線約有6mm長,會引入約15nH的電感[1]。引線電感也可由下式估算[4]:
其中:l和r分別為引線的長度和半徑。
寄生電感會與電容產(chǎn)生串聯(lián)諧振,即自諧振,在自諧振頻率f0處,去耦電容呈現(xiàn)的阻抗最小,去耦效果最好。但對頻率f高于f0的噪聲成份,去耦電容呈電感性,阻抗隨頻率的升高而變大,使去耦或旁路作用大大下降。實踐中,應(yīng)根據(jù)噪聲的最高頻率fmax來選擇去耦電容的自諧振頻率f0,最佳取值為f0 = fmax。
但是,一些資料上只是從電容的寄生電感的角度給出了自諧振頻率f0的資料。實際上,去耦電容的自諧振頻率不僅與電容的寄生電感有關(guān),而且還與過孔的寄生電感[5]、聯(lián)結(jié)去耦電容與芯片電源正負極引腳的印制導(dǎo)線的寄生電感[6,7]等都有關(guān)系。如果不注意這一點,查得的資料或自己的估算往往與實際情況相去甚遠。
實踐中,一般是先確定去耦電容的結(jié)構(gòu)(電容的寄生電感與其結(jié)構(gòu)關(guān)系密),再用試驗的方法確定容量。
2.2 電源濾波器的的自諧振頻率
在交流電源進線與電源變壓器之間設(shè)置電源濾波器是抗EMI的常用措施之一。常用的電源濾波器如圖2所示。人們一般對去耦電容的自諧振頻率問題比較注意,實際上電源濾波器也有自諧振頻率問題,處理不當,同樣達不到預(yù)期的目的。對圖2所示的濾波器,分析可知,當電感的電阻rL很小時,自諧振頻率分別為:
設(shè)計電源濾波器時,必須使濾波器的自諧振頻率遠小于噪聲頻率。處理不當,不僅不能衰減噪聲,反而會放大噪聲。
例如[8],圖2(a)所示的濾波器,如果取L=1 mH、rL=1 Ω、C=0.47μF(這也是許多資料上推薦的參數(shù)),可算出f0=5.2 kHz。而EMC測試中的快速脈沖群頻率為5.0 kHz(2KV)或2.5 kHz(4 kV),5.0 kHz剛好諧振,2.5 kHz也不會被衰減,如圖3所示。這說明濾波器中元件參數(shù)選取不當,可能根本起不到提高EMC性能的作用。
3 電容結(jié)構(gòu)的選擇
從理論上講,電容的容量越大,容抗就越小,濾波效果就越好。一些人也有這種習(xí)慣認識。但是,容量大的電容一般寄生電感也大,自諧振頻率低(如典型的陶瓷電容,0.1μF的f0=5 MHz,0.01μF的f0=15 MHz,0.001μF的f0=50MHz),對高頻噪聲的去耦效果差,甚至根本起不到去耦作用。分立元件的濾波器在頻率超過10 MHz時,將開始失去性能。元件的物理尺寸越大,轉(zhuǎn)折點頻率越低。這些問題可以通過選擇特殊結(jié)構(gòu)的電容來解決。
貼片電容的寄生電感幾乎為零,總的電感也可以減小到元件本身的電感,通常只是傳統(tǒng)電容寄生電感的1/3~1/5,自諧振頻率可達同樣容量的帶引線電容的2倍(也有資料說可達10倍),是射頻應(yīng)用的理想選擇。
傳統(tǒng)上,射頻應(yīng)用一般選擇瓷片電容。但在實踐中,超小型聚脂或聚苯乙烯薄膜電容也是適用的,因為它們的尺寸與瓷片電容相當。
三端電容能將小瓷片電容頻率范圍從50 MHz以下拓展到200 MHz以上,這對抑制VHF頻段的噪聲是很有用的。要在VHF或更高的頻段獲得更好的濾波效果,特別是保護屏蔽體不被穿透,必須使用饋通電容。
4 電容容量的選擇
在數(shù)字系統(tǒng)中,去耦電容的容量通常按下式估算式中: 為瞬變電流; 為邏輯器件允許的電源電壓變化; 為開關(guān)時間。
實踐中,去耦電容的容量選擇并不嚴格,可按C = 1/f選用,f為電路頻率,即10 MHz選0.1Μf,100 MHz選0.01μF;在微機控制系統(tǒng)中,通常在0.1~0.01μF之間任選[9]。
但是,近年的研究表明[10,11],去耦電容的容量選擇還必須滿足以下條件:
① 芯片與去耦電容兩端電壓差 必須小于噪聲容限 。
② 從去耦電容為芯片提供所需的電流的角度考慮,其容量應(yīng)滿足。
③ 芯片開關(guān)電流 的放電速度必須小于去耦電容電流的最大放電速度。
此外,當電源引線比較長時,瞬變電流會引起較大的壓降,此時就要加容納電容以維持器件要求的電壓值。
5 去耦電容的安裝方式與PCB設(shè)計
安裝去耦電容時,一般都知道使電容的引線盡可能短。但是,實踐中往往受到安裝條件的限制,電容的引線不可能取得很短。況且,電容引線的寄生電感只是影響自諧振頻率的因素之一,自諧振頻率還與過孔的寄生電感、相關(guān)印制導(dǎo)線的寄生電感等因素有關(guān)。一味地追求引線短,不僅困難,而且可能根本達不到目的。
這說明要保證去耦效果,在PCB設(shè)計時,就要考慮相關(guān)問題。設(shè)計印制導(dǎo)線時,應(yīng)使去耦電容距離芯片電源正負極引腳盡可能近(當然電容引線要盡可能短)。設(shè)計過孔時應(yīng)盡量減小過孔的寄生電感,具體措施可參考文獻[5]。
6 結(jié) 語
EMC設(shè)計是一個需要長期面對的重要而復(fù)雜的領(lǐng)域,電容在其中一直得到廣泛應(yīng)用。隨著相關(guān)研究的進展,人們不斷糾正或放棄電容在EMC設(shè)計中的一些傳統(tǒng)認識與做法。電容在EMC設(shè)計中的作用大小與多種因素有關(guān),且其中的很多因素一直在不斷的研究與變化中。所以,要充分發(fā)揮電容在EMC設(shè)計中的作用,及時了解相關(guān)研究的新進展,及時采用新技術(shù),是非常重要的。
作者:周勝海 王林 李長庚 文章來源:現(xiàn)代電子技術(shù)
編輯:admin 最后修改時間:2017-12-13