ESD是如何進(jìn)入電子設(shè)備生產(chǎn)過程中的
要防止ESD，首先必須知道ESD是什么以及ESD進(jìn)入電子設(shè)備的過程。一個(gè)充電的導(dǎo)體接近另一個(gè)導(dǎo)體時(shí)，就有可能發(fā)生ESD。首先，兩個(gè)導(dǎo)體之間會(huì)建立一個(gè)很強(qiáng)的電場(chǎng)，產(chǎn)生由電場(chǎng)引起的擊穿。兩個(gè)導(dǎo)體之間的電壓超過它們之間空氣和絕緣介質(zhì)的擊穿電壓時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生電弧。在0.7ns到10ns的時(shí)間里，電弧電流會(huì)達(dá)到幾十安培，有時(shí)甚至?xí)^100安培。電弧將一直維持直到兩個(gè)導(dǎo)體接觸短路或者電流低到不能維持電弧為止。
ESD的產(chǎn)生取決于物體的起始電壓、電阻、電感和寄生電容：可能產(chǎn)生電弧的實(shí)例有人體、帶電器件和機(jī)器？赡墚a(chǎn)生尖峰電弧的實(shí)例有手或金屬物體？赡墚a(chǎn)生同極性或者極性變化的多個(gè)電弧的實(shí)例有家具。
ESD可以通過五種耦合途徑進(jìn)入電子設(shè)備：初始的電場(chǎng)能容性耦合到表面積較大的網(wǎng)絡(luò)上，并在離ESD電弧100mm處產(chǎn)生高達(dá)4000V/m的高壓。
電弧注入的電荷/電流可以產(chǎn)生以下的損壞和故障：
a. 穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層，損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極（常見）。
b. CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死（常見）。
c. 短路反偏的PN結(jié)（常見）。
d. 短路正向偏置的PN結(jié)（少見）。
e. 熔化有源器件內(nèi)部的焊接線或鋁線。
電流會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)體上產(chǎn)生電壓脈沖，這些導(dǎo)體可能是電源、地或信號(hào)線，這些電壓脈沖將進(jìn)入與這些網(wǎng)絡(luò)相連的每一個(gè)元器件（常見）。
電弧會(huì)產(chǎn)生一個(gè)頻率范圍在1MHz到500MHz的強(qiáng)磁場(chǎng)，并感性耦合到臨近的每一個(gè)布線環(huán)路，在離ESD電弧100mm遠(yuǎn)的地方產(chǎn)生高達(dá)15A/m的電流。
電弧輻射的電磁場(chǎng)會(huì)耦合到長(zhǎng)的信號(hào)線上，這些信號(hào)線起到接收天線的作用（少見）。
ESD會(huì)通過各種各樣的耦合途徑找到設(shè)備的薄弱點(diǎn)。ESD頻率范圍寬，不僅僅是一些離散的頻點(diǎn)，它甚至可以進(jìn)入窄帶電路中。為了防止ESD干擾和損毀，必須隔離這些路徑或者加強(qiáng)設(shè)備的抗ESD能力。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2017-09-05
