國(guó)巨超高容值MLCC有望在未來(lái)取代鉭電容
國(guó)巨公司(Yageo)成功開(kāi)發(fā)X5R 1210 100μF(微法拉)高容值積層陶瓷電容(MLCC)。這是國(guó)巨公獲得2,200萬(wàn)元補(bǔ)助金，執(zhí)行“經(jīng)濟(jì)部”工業(yè)局“主導(dǎo)性新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)輔導(dǎo)計(jì)劃”的研究成果，該計(jì)劃已于2006年底結(jié)案。
國(guó)巨公司MLCC研發(fā)技術(shù)中心協(xié)理胡慶利博士表示：“X5R 1210 100μF積層陶瓷電容運(yùn)用了多項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)，包括奈米粉體覆蓋、內(nèi)埋式電極、精密印刷、低溫端電極等。藉由整合國(guó)巨研發(fā)團(tuán)隊(duì)資源以及工研院材化所、臺(tái)大材料所的研發(fā)能力，在高容值MLCC產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)上，具備前所未有的指標(biāo)意義。”
他解釋說(shuō)，所謂高容值MLCC的定義是，其電容值大于1μF，以及介電層厚度小于4微米。而這顆1210 100μF產(chǎn)品的介電層厚度為1.7~1.8微米，堆棧數(shù)高達(dá)八百余層，對(duì)國(guó)巨來(lái)說(shuō)來(lái)說(shuō)，是一重要的技術(shù)突破。
而針對(duì)MLCC目前朝向小型化與高電容密度的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，胡慶利表示，透過(guò)此計(jì)劃所累積的技術(shù)將有助于國(guó)巨未來(lái)開(kāi)發(fā)出更高階的產(chǎn)品。
但就市場(chǎng)應(yīng)用來(lái)看，胡慶利指出，100μF高容值MLCC可應(yīng)用于液晶電視、液晶顯示器、電源供應(yīng)器，及低功耗的手持式消費(fèi)性電子產(chǎn)品。目前，100μF的高容值電容市場(chǎng)是由鉭質(zhì)電容主導(dǎo)，而X5R 1210 100μF積層陶瓷電容的溫度性穩(wěn)定較高，在-55℃至85℃的工作溫度范圍內(nèi)，誤差值僅為±15%，生產(chǎn)良率穩(wěn)定，長(zhǎng)期來(lái)看有可能在未來(lái)取代鉭質(zhì)電容市場(chǎng)需求。
但是，考慮成本效益與目前的市場(chǎng)需求，國(guó)巨公司積層陶瓷電容事業(yè)部副總經(jīng)理胡湘麒表示，從市場(chǎng)需求來(lái)看，1210 100μF并不會(huì)是該公司今年的重點(diǎn)。另一顆日前推出的小尺寸0603 10μF產(chǎn)品，是以計(jì)算機(jī)產(chǎn)品應(yīng)用為主，才會(huì)是國(guó)巨今年高容值MLCC產(chǎn)品的重點(diǎn)。0603 10μF產(chǎn)品的介電層厚度為1.2微米，堆棧層數(shù)為三百多層；就介電層厚度的技術(shù)指標(biāo)來(lái)看，亦是一顆高階組件。
胡慶利表示，國(guó)巨仍將持續(xù)開(kāi)發(fā)更高階的高容產(chǎn)品，并同時(shí)亦會(huì)再積極爭(zhēng)取經(jīng)濟(jì)部的相關(guān)研發(fā)計(jì)劃，除高容外，高壓、高頻MLCC組件的開(kāi)發(fā)都有可能是下一階段的提案方向。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2017-09-05
