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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。
通過對(duì)柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的單位面積漏源導(dǎo)通電阻降低了約13%，漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（MOSFET性能的品質(zhì)因數(shù)）降低了約52%。這有助于確保該系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的雙重降低，并最終實(shí)現(xiàn)了開關(guān)電源效率的提高。
該新產(chǎn)品采用TOLL封裝，柵極驅(qū)動(dòng)采用開爾文連接？梢酝ㄟ^降低封裝中源極線電感的影響，增強(qiáng)MOSFET的高速開關(guān)性能，從而抑制開關(guān)過程中的振蕩。
未來，東芝將繼續(xù)擴(kuò)展600V DTMOSVI系列產(chǎn)品線，以及已發(fā)布的650V DTMOSVI系列產(chǎn)品，并通過降低開關(guān)電源的功率損耗來達(dá)到節(jié)約節(jié)能的目的。
圖1：漏極-源極導(dǎo)通電阻與柵漏電荷比較
應(yīng)用
- 數(shù)據(jù)中心（服務(wù)器開關(guān)電源等）
- 光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器
- 不間斷電源系統(tǒng)
特性
- 低漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷，有助于提高開關(guān)電源的效率
主要規(guī)格
（除非另有說明，Ta＝25℃）
器件型號(hào) | TK055U60Z1 | |||
絕對(duì)最大 值 | 漏極-源極電壓VDSS（V） | 600 | ||
漏極電流（DC）ID（A） | 40 | |||
結(jié)溫Tch（℃） | 150 | |||
電氣特性 | 漏極-源極導(dǎo)通電阻 RDS(ON)（mΩ） | VGS＝10V | 最大值 | 55 |
總柵極電荷Qg（nC） | 典型值 | 65 | ||
柵極-漏極電荷Qgd（nC） | 典型值 | 15 | ||
輸入電容Ciss（pF） | 典型值 | 3680 | ||
封裝 | 名稱 | TOLL | ||
尺寸（mm） | 典型值 | 9.9×11.68 厚度＝2.3 | ||
庫(kù)存查詢與購(gòu)買 | 在線購(gòu)買 | |||
注：
[1] 截至2023年6月
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TK055U60Z1
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK055U60Z1.html
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MOSFET
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TK055U60Z1
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*本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。
*本文檔中的產(chǎn)品價(jià)格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。
關(guān)于東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社是先進(jìn)的半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，公司累積了半個(gè)多世紀(jì)的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新，為客戶和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。
公司22,200名員工遍布世界各地，致力于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值的最大化，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社十分注重與客戶的密切協(xié)作，旨在促進(jìn)價(jià)值共創(chuàng)，共同開拓新市場(chǎng)，公司現(xiàn)已擁有超過8,598億日元（62億美元）的年銷售額，期待為世界各地的人們建設(shè)更美好的未來并做出貢獻(xiàn)。
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