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東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏極電流(DC)額定值為250A,適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
類似上述的工業(yè)應用通常使用DC 1000V或更低功率,其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而,預計未來幾年內(nèi)DC 1500V將得到廣泛應用,因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款2200V產(chǎn)品。
MG250YD2YMS3具有低導通損耗和0.7V(典型值)的低漏極-源極導通電壓(傳感器)[2]。此外,它還具有較低的開通和關斷損耗,分別為14mJ(典型值)[3]和11mJ(典型值)[3],與典型的硅(Si)IGBT相比降低了約90%[4]。這些特性均有助于提高設備效率。由于MG250YD2YMS3可實現(xiàn)較低的開關損耗,用戶可采用模塊數(shù)量更少的兩電平電路取代傳統(tǒng)的三電平電路,有助于設備的小型化。
東芝將不斷創(chuàng)新,持續(xù)滿足市場對高效率和工業(yè)設備小型化的需求。
應用:
工業(yè)設備
- 可再生能源發(fā)電系統(tǒng)(光伏發(fā)電系統(tǒng)等)
- 儲能系統(tǒng)
- 工業(yè)設備用電機控制設備
- 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等設備
特性:
- 低漏極-源極導通電壓(傳感器):
VDS(on)sense=0.7V(典型值)(ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃)
- 低開通損耗:
Eon=14mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)
- 低關斷損耗:
Eoff=11mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)
- 低寄生電感:
LsPN=12nH(典型值)
主要規(guī)格:
(除非另有說明,Ta=25℃)
器件型號 | MG250YD2YMS3 | |||
東芝封裝名稱 | 2-153A1A | |||
絕對 最大 額定值 | 漏源電壓VDSS(V) | 2200 | ||
柵源電壓VGSS(V) | +25/-10 | |||
漏極電流(DC)ID(A) | 250 | |||
漏極電流(脈沖)IDP(A) | 500 | |||
結溫Tch(℃) | 150 | |||
絕緣電壓Visol(Vrms) | 4000 | |||
電氣 特性 | 漏極-源極導通電壓(傳感器): VDS(on)sense(V) | ID=250A、VGS=+20V、 Tch=25℃ | 典型值 | 0.7 |
源極-漏極導通電壓(傳感器): VSD(on)sense(V) | IS=250A、VGS=+20V、 Tch=25℃ | 典型值 | 0.7 | |
源極-漏極關斷電壓(傳感器): VSD(off)sense(V) | IS=250A、VGS=-6V、 Tch=25℃ | 典型值 | 1.6 | |
開通損耗 Eon(mJ) | VDD=1100V、 ID=250A、Tch=150℃ | 典型值 | 14 | |
關斷損耗 Eoff(mJ) | 典型值 | 11 | ||
寄生電感LsPN(nH) | 典型值 | 12 |
注:
[1] 采樣范圍僅限于雙SiC MOSFET模塊。數(shù)據(jù)基于東芝截至2023年8月的調(diào)研。
[2] 測量條件:ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃
[3] 測量條件:VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃
[4] 截至2023年8月,東芝對2300V Si模塊和新型SiC MOSFET芯片MG250YD2YMS3開關損耗進行比較(2300V Si模塊的性能值是東芝根據(jù)2023年3月或之前發(fā)表的論文做出的預估)。
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MG250YD2YMS3
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfet-modules/detail.MG250YD2YMS3.html
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碳化硅功率器件
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