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東芝開發(fā)業(yè)界首款2200V雙SIC MOSFET模塊 產(chǎn)品

關鍵字:東芝SiC 東芝MOSFET 東芝半導體 發(fā)布時間:2023-08-29

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏極電流(DC)額定值為250A,適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

                                             11.png

類似上述的工業(yè)應用通常使用DC 1000V或更低功率,其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而,預計未來幾年內(nèi)DC 1500V將得到廣泛應用,因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款2200V產(chǎn)品。

MG250YD2YMS3具有低導通損耗和0.7V(典型值)的低漏極-源極導通電壓(傳感器)[2]。此外,它還具有較低的開通和關斷損耗,分別為14mJ(典型值)[3]和11mJ(典型值)[3],與典型的硅(Si)IGBT相比降低了約90%[4]。這些特性均有助于提高設備效率。由于MG250YD2YMS3可實現(xiàn)較低的開關損耗,用戶可采用模塊數(shù)量更少的兩電平電路取代傳統(tǒng)的三電平電路,有助于設備的小型化。

東芝將不斷創(chuàng)新,持續(xù)滿足市場對高效率和工業(yè)設備小型化的需求。

  應用:

工業(yè)設備

-     可再生能源發(fā)電系統(tǒng)(光伏發(fā)電系統(tǒng)等)

-     儲能系統(tǒng)

-     工業(yè)設備用電機控制設備

-     高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器等設備

  特性:

-     低漏極-源極導通電壓(傳感器):

VDS(on)sense=0.7V(典型值)(ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃)

-     低開通損耗:

Eon=14mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)

-     低關斷損耗:

Eoff=11mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)

-     低寄生電感:

LsPN=12nH(典型值)

  主要規(guī)格:

(除非另有說明,Ta=25℃)

器件型號

MG250YD2YMS3

東芝封裝名稱

2-153A1A

絕對

最大

額定值

漏源電壓VDSS(V)

2200

柵源電壓VGSS(V)

+25/-10

漏極電流(DC)ID(A)

250

漏極電流(脈沖)IDP(A)

500

結溫Tch(℃)

150

絕緣電壓Visol(Vrms)

4000

電氣

特性

漏極-源極導通電壓(傳感器):

VDS(on)sense(V)

ID=250A、VGS=+20V、

Tch=25℃

典型值

0.7

源極-漏極導通電壓(傳感器):

VSD(on)sense(V)

IS=250A、VGS=+20V、

Tch=25℃

典型值

0.7

源極-漏極關斷電壓(傳感器):

VSD(off)sense(V)

IS=250A、VGS=-6V、

Tch=25℃

典型值

1.6

開通損耗

Eon(mJ)

VDD=1100V、

ID=250A、Tch=150℃

典型值

14

關斷損耗

Eoff(mJ)

典型值

11

寄生電感LsPN(nH)

典型值

12

 

注:

[1] 采樣范圍僅限于雙SiC MOSFET模塊。數(shù)據(jù)基于東芝截至2023年8月的調(diào)研。

[2] 測量條件:ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃

[3] 測量條件:VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃

[4] 截至2023年8月,東芝對2300V Si模塊和新型SiC MOSFET芯片MG250YD2YMS3開關損耗進行比較(2300V Si模塊的性能值是東芝根據(jù)2023年3月或之前發(fā)表的論文做出的預估)。

如需了解相關新產(chǎn)品的更多信息,請訪問以下網(wǎng)址:

MG250YD2YMS3

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfet-modules/detail.MG250YD2YMS3.html

如需了解東芝碳化硅功率器件的更多信息,請訪問以下網(wǎng)址:

碳化硅功率器件

https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/sic-power-devices.html


*本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。

*本文檔中的產(chǎn)品價格和規(guī)格、服務內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息,在公告之日仍為最新信息,但如有變更,恕不另行通知。

 

 

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