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業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)今日宣布,率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH,其最大厚度僅為0.4mm,容量高達128Mb,是目前業(yè)界在此容量上能實現(xiàn)的最小塑封封裝產(chǎn)品,可在應對大容量代碼存儲需求的同時,提供極大限度的緊湊型設計自由。
近年來,隨著物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴、健康監(jiān)護、網(wǎng)通等應用的快速發(fā)展,市場需求變化多樣,不僅要在精致小巧的產(chǎn)品形態(tài)中提供豐富的功能,還要具有極低功耗,以保障產(chǎn)品的長時間工作。而SPI NOR Flash作為這些設備中重要的代碼存儲單元,需提供更小、更薄、更輕的產(chǎn)品選擇來滿足這些不斷變化的應用需求。
GD25LE系列SPI NOR Flash是兆易創(chuàng)新旗艦型低功耗產(chǎn)品,此次新推出的3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 GD25LE128EXH產(chǎn)品延續(xù)了LE系列的優(yōu)異性能,其最高時鐘頻率133MHz,數(shù)據(jù)吞吐量高達532Mbit/s,極大提升了客戶的系統(tǒng)訪問速度和開機效率,同時在4通道133MHz時,讀功耗僅為6mA,與行業(yè)同類產(chǎn)品相比,降低了45%的功耗,有效延長設備的續(xù)航時間。并且,更為重要的是GD25LE128EXH實現(xiàn)了128Mb容量產(chǎn)品上的超小尺寸,此前,業(yè)界128Mb容量產(chǎn)品的主流封裝為6mm×5mm×0.8mm WSON8,而GD25LE128EXH采用的3mm×3mm×0.4mm超小尺寸的新型封裝,面積縮小達70%,厚度減薄50%,能夠顯著節(jié)省85%的空間體積,并節(jié)省材料成本。
除了尺寸優(yōu)勢顯著提升之外,3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 GD25LE128EXH與64Mb及以下容量的3mm×4mm×0.6mm USON8封裝產(chǎn)品引腳兼容,無需調(diào)整PCB布局即可快速升級容量至128Mb,對于不同容量需求的方案,進一步簡化了其兼容性要求的設計。
兆易創(chuàng)新存儲事業(yè)部執(zhí)行總監(jiān)陳暉先生表示:“作為業(yè)界領先的Fabless芯片供應商,兆易創(chuàng)新不僅是創(chuàng)新技術的提倡者,同時也是先進技術的踐行者。此次率先推出超小尺寸3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的128Mb SPI NOR Flash,完美匹配了業(yè)界對小型化和高集成度的要求,并且基于此封裝技術落地的首款產(chǎn)品GD25LE128EXH所具備的低功耗特性也使其適用于任何以電池供電的產(chǎn)品設計中。未來隨著智能設備的不斷升級,兆易創(chuàng)新預見大容量、小尺寸、低功耗的SPI NOR Flash產(chǎn)品將持續(xù)被業(yè)界需要。針對這一趨勢,公司正在規(guī)劃通過先進封裝和存儲技術開發(fā)其它容量、更小尺寸的存儲產(chǎn)品,為客戶提供更多樣化的選擇!
GD25LE128EXH現(xiàn)已量產(chǎn),客戶可聯(lián)絡銷售代表或授權代理商了解相關信息。另外,同系列3mm×2mm×0.4mm FO-USON8封裝產(chǎn)品GD25LE64E也即將在5月底提供樣片,具體詳情請聯(lián)絡銷售代表。
關于兆易創(chuàng)新(GigaDevice)
兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司(股票代碼603986)是全球領先的Fabless芯片供應商,公司成立于2005年4月,總部設于中國北京,在全球多個國家和地區(qū)設有分支機構,營銷網(wǎng)絡遍布全球,提供優(yōu)質(zhì)便捷的本地化支持服務。兆易創(chuàng)新致力于構建以存儲器、微控制器、傳感器、模擬產(chǎn)品為核心驅動力的完整生態(tài),為工業(yè)、汽車、計算、消費電子、物聯(lián)網(wǎng)、移動應用以及通信領域的客戶提供完善的產(chǎn)品技術和服務,并已通過ISO9001及ISO14001等管理體系的認證,與多家世界知名晶圓廠、封裝測試廠建立戰(zhàn)略合作伙伴關系,共同推進半導體領域的技術創(chuàng)新。欲了解更多信息,請訪問:http://www.lsslygs.com/