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東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工業(yè)設備應用。該系列中五款額定電壓為650V,另外五款額定電壓為1200V,十款產(chǎn)品于今日開始批量出貨。
新產(chǎn)品是東芝碳化硅MOSFET產(chǎn)品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產(chǎn)品,其封裝支持柵極驅(qū)動信號源極端使用開爾文連接,有助于減少封裝內(nèi)源極線電感的影響,從而提高高速開關性能。與東芝目前采用3引腳TO-247封裝的產(chǎn)品TW045N120C相比,新型TW045Z120C的開通損耗降低了約40%,關斷損耗降低了約34%[2]。這一改善有助于降低設備功率損耗。
使用SiC MOSFET的3相逆變器參考設計已在東芝官網(wǎng)發(fā)布。
東芝將繼續(xù)擴大自身產(chǎn)品線,進一步契合市場趨勢,并助力用戶提高設備效率,擴大功率容量。
使用新型SiC MOSFET的3相逆變器
使用SiC MOSFET的3相逆變器
簡易方框圖
應用:
- 開關電源(服務器、數(shù)據(jù)中心、通信設備等)
- 電動汽車充電站
- 光伏變頻器
- 不間斷電源(UPS)
特性:
- 4引腳TO-247-4L(X)封裝:
柵極驅(qū)動信號源極端使用開爾文連接,可降低開關損耗
- 第3代碳化硅MOSFET
- 低漏源導通電阻×柵漏電荷
- 低二極管正向電壓:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)
主要規(guī)格:
(除非另有說明,Ta=25℃)
器件型號 | 封裝 | 絕對最大額定值 | 電氣特征 | 庫存查詢與購買 | ||||||||
漏 源 電壓 VDSS (V) | 柵 源 電壓 VGSS (V) | 漏極 電流 (DC) ID (A) | 漏 源 導通 電阻 RDS(ON) (mΩ) | 柵極 閾值 電壓 Vth (V) | 總 柵極 電荷 Qg (nC) | 柵 漏 電荷 Qgd (nC) | 輸入 電容 Ciss (pF) | 二極管 正向 電壓 VDSF (V) | ||||
Tc=25℃ | VGS=18V | VDS=10V | VGS=18V | VGS=18V | 典型值 | 測量 條件 VDS (V) | VGS=-5V | |||||
典型值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | |||||||||
TW015Z120C | TO-247-4L(X) | 1200 | -10至25 | 100 | 15 | 3.0至5.0 | 158 | 23 | 6000 | 800 | -1.35 | 在線購買 |
TW030Z120C | 60 | 30 | 82 | 13 | 2925 | 在線購買 | ||||||
TW045Z120C | 40 | 45 | 57 | 8.9 | 1969 | 在線購買 | ||||||
TW060Z120C | 36 | 60 | 46 | 7.8 | 1530 | 在線購買 | ||||||
TW140Z120C | 20 | 140 | 24 | 4.2 | 691 | 在線購買 | ||||||
TW015Z65C | 650 | 100 | 15 | 128 | 19 | 4850 | 400 | 在線購買 | ||||
TW027Z65C | 58 | 27 | 65 | 10 | 2288 | 在線購買 | ||||||
TW048Z65C | 40 | 48 | 41 | 6.2 | 1362 | 在線購買 | ||||||
TW083Z65C | 30 | 83 | 28 | 3.9 | 873 | 在線購買 | ||||||
TW107Z65C | 20 | 107 | 21 | 2.3 | 600 | 在線購買 |
注:
[1] 截至2023年8月
[2] 截至2023年8月,東芝測量值(測量條件:VDD=800V、VGG=+18V/0V、ID=20A、RG=4.7Ω、L=100μH、Ta=25℃)
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TW015Z120C
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TW045Z120C
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TW060Z120C
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TW140Z120C
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TW015Z65C
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TW027Z65C
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TW048Z65C
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TW083Z65C
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TW107Z65C
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