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移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務器電源應用實現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性價比的高功耗應用提供理想解決方案。
在 650/750V 狀態(tài)下，第四代 UJ4C/SC 系列的 RDS(on) 為 9 毫歐姆 (mohm)，實現(xiàn)行業(yè)低水平，該系列的額定電阻為 9、11、18、23、33、44 和 60 豪歐姆。該廣泛選擇為工程師提供更多器件選項，支持更大的靈活性，以實現(xiàn)理想成本/效率平衡，同時維持豐富的設計裕量和電路穩(wěn)健性。這些器件利用獨到的共源共柵 SiC FET 技術，其中，處于常開狀態(tài)的 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝，產(chǎn)生處于常閉狀態(tài)的 SiC FET，這些器件提供出色的 RDS x A 品質因數(shù)，能夠最大限度減少小尺寸裸片中的傳導損失。
UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購）總工程師 Anup Bhalla 表示：“D2PAK-7L 封裝可減少緊湊內部連接回路中的電感，再加上附帶的開爾文源連接，能夠實現(xiàn)低開關損耗，支持更高的工作頻率，并提高系統(tǒng)功率密度。此外，這些器件采用銀燒結芯片貼裝，通過液體冷卻最大限度排出標準 PCB 和 IMS 基板上的熱量，因此熱阻非常低！
采用 D2PAK-7L 封裝系列的全新 750V 第四代 SiC FET 售價（1000 件起，美國離岸價）為 3.50 美元 (UJ4C075060B7S) 至 18.92 美元 (UJ4SC075009B7S)。所有器件均通過授權經(jīng)銷商銷售。
如需進一步了解 UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購）UJ4C/SC 第四代 SiC FET 系列如何提供行業(yè)先進的性能品質因數(shù)，降低傳導損失，提高更高速度時的效率，同時改善整體成本效率，請訪問?https://unitedsic.com/group/uj4c-sc/。如需下載 Qorvo SiC FET 用戶指南副本，請點擊此處。
關于Qorvo
Qorvo（納斯達克代碼：QRVO）長期堅持提供創(chuàng)新的射頻解決方案以實現(xiàn)更加美好的互聯(lián)世界。我們結合產(chǎn)品和領先的技術優(yōu)勢、以系統(tǒng)級專業(yè)知識和全球性的制造規(guī)模，快速解決客戶最復雜的技術難題。Qorvo服務于全球市場，包括先進的無線設備、有線和無線網(wǎng)絡和防空雷達及通信系統(tǒng)。我們在這些高速發(fā)展和增長的領域持續(xù)保持著領先優(yōu)勢。我們還利用我們獨特的競爭優(yōu)勢，以推進5 G網(wǎng)絡、云計算、物聯(lián)網(wǎng)和其他新興的應用市場以實現(xiàn)人物、地點和事物的全球互聯(lián)。訪問www.qorvo.com了解Qorvo如何創(chuàng)造美好的互聯(lián)世界。
