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公司內(nèi)部以及合作開發(fā)的七款設(shè)計(jì)工具可以為45W至140W的適配器帶來高性能650V氮化鎵FET的優(yōu)勢
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)今天宣布推出七款參考設(shè)計(jì)，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設(shè)計(jì)組合包括廣泛的開放式框架設(shè)計(jì)選項(xiàng)，覆蓋多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、輸出和功率（45W至140W）。
SuperGaN技術(shù)的差異化優(yōu)勢電源適配器參考設(shè)計(jì)采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設(shè)計(jì)簡單、可靠性高和性能強(qiáng)勁的優(yōu)勢，這些特點(diǎn)已經(jīng)成為Transphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對比分析中，與175毫歐的e-mode氮化鎵器件相比，Transphorm的240毫歐SuperGaN FET在溫度超過75℃時(shí)顯示出更低的導(dǎo)通電阻上升幅度，并在50%和100%（全）功率下?lián)碛懈叩男阅堋?/p>
點(diǎn)擊這里了解兩種氮化鎵解決方案之間對比的更多詳情。
電源適配器參考設(shè)計(jì)Transphorm的參考設(shè)計(jì)組合包括五款開放框架的USB-C PD參考設(shè)計(jì)，頻率范圍從140到300 kHz。其中包括Transphorm與Silanna Semiconductor合作開發(fā)的一款65W有源鉗位反激模式(ACF)參考設(shè)計(jì)，運(yùn)行頻率為140kHz，峰值效率為94.5%。
(1x) 45W適配器參考設(shè)計(jì)采用準(zhǔn)諧振反激模式(QRF)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可提供24 W/in3的功率密 度
(3x) 65W適配器參考設(shè)計(jì)采用ACF或QRF拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可提供30 W/in3的功率密度
(1x) 100W適配器參考設(shè)計(jì)采用功率因數(shù)校正(PFC)+QRF拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可提供18 W/in3的 功率密度
Transphorm的參考設(shè)計(jì)組合還包括兩款開放框架的USB-C PD/PPS參考設(shè)計(jì)，頻率范圍110到140 kHz。Transphorm與Diodes Inc.合作開發(fā)了這兩款解決方案，利用該公司的ACF控制器實(shí)現(xiàn)了超過93.5%的峰值效率。
(1x) 65W適配器參考設(shè)計(jì)采用ACF拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可提供29 W/in3的功率密度
(1x) 140W適配器參考設(shè)計(jì)采用PFC+ACF拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可提供20 W/in3的功率密度
Transphorm現(xiàn)場應(yīng)用和技術(shù)銷售副總裁Tushar Dhayagude表示：“Transphorm獨(dú)具優(yōu)勢，可提供唯一能適用于廣泛應(yīng)用的、涵蓋眾多功率水平的氮化鎵FET組合。我們的電源適配器參考設(shè)計(jì)凸顯出我們的低 功率能力。我們提供與控制器無關(guān)的PQFN和TO-220器件，可以極大地簡化設(shè)計(jì)。這些優(yōu)勢以及其他特點(diǎn)有助于客戶快速、輕松地將 具有突破性功率效率水平的氮化鎵解決方案推向市場。這正是Transphorm氮化鎵器件的價(jià)值所在！
點(diǎn)擊這里查閱當(dāng)前提供的電源適配器參考設(shè)計(jì)組合。
關(guān)于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領(lǐng)導(dǎo)者，致力于設(shè)計(jì)、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導(dǎo)體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵 知識產(chǎn)權(quán)組合之一，持有或取得授權(quán)的專利超過1,000多項(xiàng)，在業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證的高壓氮化鎵半導(dǎo)體 器件。得益于垂直整合的業(yè)務(wù)模式，Transphorm能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)的每一個(gè)階段進(jìn)行創(chuàng)新：設(shè)計(jì)、制造、器件和應(yīng)用支持。 Transphorm的創(chuàng)新正在使電力電子設(shè)備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統(tǒng)成本降低 20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設(shè)有制造工廠。如需了解更多信息，請?jiān)L問www.transphormchina.com。歡迎在Twitter@transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關(guān)注我們。
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