東芝NAND閃存：TH58BYG3S0HBAI6
TH58BYG3S0HBAI6
TH58BYG3S0HBAI6是一個1.8V 8Gbit(8，858，370，048位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 128)字節(jié)×64頁×4096塊。該設(shè)備具有一個4224字節(jié)的靜態(tài)寄存器，它允許在寄存器和存儲器單元數(shù)組之間以4224字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作在單個塊單元中實(shí)現(xiàn) (256Kbytes + 8Kbytes ： 4224 字節(jié)× 64 頁) 。
TH58BYG3S0HBAI6是一種串行型存儲設(shè)備，它使用I/O引腳進(jìn)行地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入。自動執(zhí)行擦除和程序操作，使設(shè)備最適合于諸如固態(tài)文件存儲、語音記錄、靜止相機(jī)圖像文件存儲器等應(yīng)用。以及其他需要高密度、非易失性存儲器數(shù)據(jù)存儲的系統(tǒng)。
TH58BYG3S0HBAI6芯片上有ECC邏輯，每528位字節(jié)的8位讀取錯誤可以內(nèi)部糾正。
編輯：admin 最后修改時間：2019-09-06
