東芝NAND閃存：TH58BYG3S0HBAI4
TH58BYG3S0HBAI4
TH58BYG3S0HBAI4是一個(gè)1.8V 8Gbit(8，858，370，048位)NAND電可擦和可編程只讀存儲(chǔ)器(NAND E2PROM)，組織為(4096 128)字節(jié)×64頁×4096塊。該設(shè)備具有一個(gè)4224字節(jié)的靜態(tài)寄存器，它允許在寄存器和存儲(chǔ)器單元數(shù)組之間以4224字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個(gè)塊單元中實(shí)現(xiàn)的(256千字節(jié)，8千字節(jié)：4224字節(jié)×64頁)。
TH58BYG3S0HBAI4是一種串行式存儲(chǔ)器裝置，它利用I/O引腳用于地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入。自動(dòng)執(zhí)行擦除和程序操作，使設(shè)備最適合應(yīng)用程序，如固態(tài)文件存儲(chǔ)，語音記錄，圖像文件存儲(chǔ)器的靜止相機(jī)以及其它需要高密度非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的系統(tǒng)。
TH58BYG3S0HBAI4在芯片上有ECC邏輯，每個(gè)528字節(jié)的8位讀取錯(cuò)誤可在內(nèi)部進(jìn)行校正。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2019-09-06
