東芝NAND閃存：TH58BVG3S0HBAI6
TH58BVG3S0HBAI6
TH58BVG3S0HBAI6是一個(gè)3.3V8Gbit(8,858,370,048位)NAND電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(NANDE2PROM)，其組織為(4096+128)字節(jié)或64頁或4096塊。該裝置具有4224字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲(chǔ)器單元數(shù)組之間以4224字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個(gè)塊單元中實(shí)現(xiàn)的(256千字節(jié)，8千字節(jié)：4224字節(jié)×64頁)。
TH58BVG3S0HBAI6是一種串行型存儲(chǔ)設(shè)備，它使用I/O引腳進(jìn)行地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入。自動(dòng)執(zhí)行擦除和程序操作，使設(shè)備最適合應(yīng)用程序，如固態(tài)文件存儲(chǔ)，語音記錄，圖像文件存儲(chǔ)器的靜止相機(jī)以及其它需要高密度非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的系統(tǒng)。
TH58BVG3S0HBA6在芯片上具有ECC邏輯，并且可以在內(nèi)部校正每個(gè)528字節(jié)的8位讀取錯(cuò)誤。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2019-09-06
