東芝NAND閃存：TC58NYG2S0HBAI6
TC58NYG2S0HBAI6
TC58NYG2S0HBAI6是一個1.8V 4 Gbit(4，563，402，752位)NAND電可擦和可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)，組織為(4096 256)字節(jié)×64頁×2048塊。該設(shè)備具有兩個4352字節(jié)的靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲單元數(shù)組之間以4352字節(jié)增量的方式傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作是在單個塊單元中實現(xiàn)的(256千字節(jié)16字節(jié)：4352字節(jié)×64頁)。
TC58NYG2S0HBAI6是一種串行型存儲設(shè)備，它使用I/O引腳進(jìn)行地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入。自動執(zhí)行擦除和程序操作，使該設(shè)備最適合于諸如固態(tài)文件存儲、語音記錄、靜止相機圖像文件存儲器等應(yīng)用。以及其他需要高密度、非易失性存儲器數(shù)據(jù)存儲的系統(tǒng)。
編輯：admin 最后修改時間：2019-09-06
