東芝NAND閃存：TC58NYG0S3HBAI4
TC58NYG0S3HBAI4
TC58NYG0S3HBAI4 是一個(gè)單一的 1.8V1 Gbit(1,140 ，850 ，688 位) NAND 電氣可擦除和可編程只讀存儲(chǔ)器 (NANDE2PROM) 組織為 (2048 ，128)字節(jié)× 64 頁(yè)× 1024 塊。該設(shè)備具有2176字節(jié)的靜態(tài)寄存器，其允許程序和讀取數(shù)據(jù)以2176字節(jié)的增量在寄存器和存儲(chǔ)器單元陣列之間傳輸。擦除操作是在單個(gè)塊單元中實(shí)現(xiàn)的(128千字節(jié)，8千字節(jié)：2176字節(jié)×64頁(yè))。
TC58NYG0S3HBAI4 是一種串行類型的存儲(chǔ)設(shè)備，它利用 I/O引腳進(jìn)行地址和數(shù)據(jù)輸入/ 輸出以及命令輸入。自動(dòng)執(zhí)行擦除和程序操作，使該設(shè)備最適合于諸如固態(tài)文件存儲(chǔ)、語(yǔ)音記錄、靜止相機(jī)圖像文件存儲(chǔ)器等應(yīng)用。以及其他需要高密度、非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的系統(tǒng)。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2019-09-06
