東芝NAND閃存：TC58BYG0S3HBAI6
TC58BYG0S3HBAI6
TC58BYG0S3HBAI6是一個(gè)1.8V 1 Gbit(1，107，296，256位)NAND電可擦和可編程只讀存儲(chǔ)器(NAND E2PROM)，組織為(2048 64)字節(jié)×64頁×1024塊。該裝置具有2112字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲(chǔ)器單元陣列之間以2112字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作在單個(gè)塊單元(128KB+4KB：2112字節(jié)/64頁)中實(shí)現(xiàn)。
TC58BYG0S3HBA6是一種串行式存儲(chǔ)器裝置，它利用I/O引腳用于地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入。自動(dòng)執(zhí)行擦除和編程操作,使得該設(shè)備最適合于諸如固態(tài)文件存儲(chǔ)、語音記錄、用于靜態(tài)照相機(jī)的圖像文件存儲(chǔ)器其它需要高密度非易失性存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的系統(tǒng)。
芯片上的 TC58 BYG0S 3HBA I 6 具有 ECC 邏輯，每 528 字節(jié)的 8 位讀取錯(cuò)誤可以在內(nèi)部校正。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2019-09-05
