東芝NAND閃存：TC58BYG0S3HBAI4
TC58BYG0S3HBAI4
TC58 BYG0S 3HBAI4 是一個單一的 1.8V 1Gbit(1,107 ，296 ，256 位) NAND 電氣可擦除和可編程只讀存儲器 (NANDE2PROM) ，組織為 (2048 ，64)字節(jié)× 64 頁× 1024 塊。該裝置具有2112字節(jié)靜態(tài)寄存器，允許在寄存器和存儲器單元陣列之間以2112字節(jié)遞增傳輸程序和讀取數(shù)據(jù)。擦除操作在單個塊單元(128KB+4KB：2112字節(jié)/64頁)中實現(xiàn)。
TC58BYG0S3HBAI4是一種串行型存儲設(shè)備，它使用I/O引腳進行地址和數(shù)據(jù)輸入/輸出以及命令輸入。自動執(zhí)行擦除和程序操作，使設(shè)備最適合于諸如固態(tài)文件存儲、語音記錄、靜止相機圖像文件存儲器等應(yīng)用。
TC58BYG0S3HBA4在芯片上具有ECC邏輯，并且可以在內(nèi)部校正每個528字節(jié)的8位讀取錯誤。
編輯：admin 最后修改時間：2019-09-05
