意法半導(dǎo)體 45W 和 150W MasterGaN
為了便于向高效寬帶隙技術(shù)的過(guò)渡，意法半導(dǎo)體發(fā)布了分別適用于高達(dá) 45W 和 150W 的應(yīng)用的 MasterGaN3 和 MasterGaN5 集成功率封裝。
加入面向 65W 至 400W 應(yīng)用的 MasterGaN1、MasterGaN2 和 MasterGaN4，這些新增產(chǎn)品為設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源、充電器、適配器、高壓功率因數(shù)校正時(shí)選擇最佳 GaN 器件和驅(qū)動(dòng)器解決方案提供了額外的靈活性(PFC) 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
ST 的 MasterGaN 概念簡(jiǎn)化了從普通硅 MOSFET 到 GaN 寬帶隙電源技術(shù)的遷移。這些器件將兩個(gè) 650V 功率晶體管與優(yōu)化的高壓柵極驅(qū)動(dòng)器以及相關(guān)的安全和保護(hù)電路集成在一起，從而消除了柵極驅(qū)動(dòng)器和電路布局設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。結(jié)合 GaN 晶體管可能實(shí)現(xiàn)的更高開(kāi)關(guān)頻率，這些集成器件使電源比基于硅的設(shè)計(jì)小 80%，并且極其堅(jiān)固可靠。
MasterGaN3 器件的 GaN 功率晶體管具有 225mΩ 和 450mΩ 的非對(duì)稱導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，使這些器件適用于軟開(kāi)關(guān)和有源整流轉(zhuǎn)換器。在 MasterGaN5 中，兩個(gè)晶體管都具有 450mΩ Rds(on)，可用于 LLC 諧振和有源鉗位反激等拓?fù)洹?/p>
與其他 MasterGaN 系列成員一樣，這兩款器件的輸入都與 3.3V 至 15V 的邏輯信號(hào)兼容，從而簡(jiǎn)化了主機(jī) DSP、FPGA 或微控制器與霍爾傳感器等外部設(shè)備的連接。它們還集成了保護(hù)，包括低側(cè)和高側(cè)欠壓鎖定 (UVLO)、柵極驅(qū)動(dòng)器互鎖、過(guò)熱保護(hù)和關(guān)斷引腳。
每個(gè) MasterGaN 器件都有一個(gè)專用原型板支持，以幫助設(shè)計(jì)人員快速啟動(dòng)新的電源項(xiàng)目。EVALMASTERGAN3 和 EVALMASTERGAN5 板包含生成單端或互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電路。有一個(gè)可調(diào)的死區(qū)時(shí)間發(fā)生器，以及供用戶應(yīng)用單獨(dú)輸入信號(hào)或 PWM 信號(hào)的連接，添加一個(gè)外部自舉二極管來(lái)幫助容性負(fù)載，并插入一個(gè)低側(cè)分流電阻器用于峰值電流-模式拓?fù)洹?/p>
MasterGaN3 和 MasterGaN5 采用 9mm x 9mm GQFN 封裝，針對(duì)高壓應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，高壓和低壓焊盤之間的爬電距離為 2mm。
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編輯：ls 最后修改時(shí)間：2022-08-09
