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配備ARM® Cortex®-M7內(nèi)核的STM32F7系列超高性能MCU

作者: 來源: 發(fā)布時間:2018-06-16  瀏覽:24

得益于意法半導(dǎo)體的ART Accelerator™ 加速器以及一級高速緩存【L1 CACHE】,不論是從內(nèi)部閃存還是外部存儲器執(zhí)行程序,STM32F7微控制器均能釋放Cortex-M7內(nèi)核的最高性能理論值: 在216 MHz fCPU主頻時,性能測試取得1082 CoreMark /462 DMIPS的成績。

富有更多新外設(shè)的智能系統(tǒng)架構(gòu)

STM32F7系列充分釋放Cortex-M7內(nèi)核的全部潛能:

• AXI和Multi-AHB總線矩陣讓處理器內(nèi)核、外設(shè)接口和存儲器高速互連互通

• 最高16 KB +16 KB的指令和數(shù)據(jù)高速緩存組合

• 最高2 MB內(nèi)置閃存,部分產(chǎn)品型號提供邊讀邊寫功能

• 2個通用DMA控制器、以太網(wǎng)專用DMA控制器(部分產(chǎn)品型號)、高速USB On-The-Go接口和Chrom-ART圖形加速器(部分產(chǎn)品型號)

• 雙時鐘系統(tǒng)使得外設(shè)時鐘獨(dú)立于與CPU時鐘,系統(tǒng)時鐘變化不影響外設(shè)運(yùn)行

• 更多其它外設(shè)接口,例如,2個支持SPDIF輸出的串行音頻接口(SAI)、3個支持SPDIF輸入的I2S半雙工接口、2個內(nèi)置專用電源的USB OTG接口和雙模Quad-SPI閃存接口

• 分布式架構(gòu)大容量SRAM存儲器:

    - 高達(dá) 512 KB通用數(shù)據(jù)存儲器,包括最高128 KB的緊耦合數(shù)據(jù)存儲器(DTCM),用于時間敏感的數(shù)據(jù)處理(如:棧和堆...)

    - 16 KB的緊耦合指令存儲器(ITCM),用于時間敏感的程序執(zhí)行

    - 4 KB的備份SRAM,用于在最低功耗模式下保存數(shù)據(jù)

• 部分產(chǎn)品型號支持程序運(yùn)行安全保護(hù)功能(PC-ROP)

• 部分產(chǎn)品型號支持片上集成高速USB PHY

能效

• 在1.8 V下,7 CoreMark/mW

• 停止模式下,典型工作電流100 μA,所有寄存器及SRAM內(nèi)容得以保持 

兼容性

• Cortex-M7向下兼容Cortex-M4指令集

• STM32F7系列與STM32F4系列引腳對引腳兼容 *

*【注】:64引腳和100引腳的具體兼容情況,請參見數(shù)據(jù)手冊


編輯:admin  最后修改時間:2018-06-16

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