意法半導體MasterGaN4器件
意法半導體的MasterGaN4功率封裝集成了兩個具有225mΩRDS（on）的對稱650V GaN功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅動器和電路保護，可簡化高達200W的高效功率轉換應用的設計。意法半導體的MasterGaN系列的最新成員，MasterGaN4消除了復雜的柵極控制和電路布局挑戰(zhàn)，從而簡化了使用寬帶隙GaN功率半導體的設計。通過輸入耐壓范圍為3.3V至15V的電壓，可以將封裝直接連接到霍爾效應傳感器或CMOS器件（例如微控制器，DSP或FPGA）來控制MasterGaN4。
利用GaN晶體管出色的開關性能所帶來的更高工作頻率，以及提高的效率以減少散熱，設計人員可以選擇小型磁性元件和散熱器來構建更緊湊，更輕便的電源，充電器和適配器。MasterGaN4非常適合用于對稱半橋拓撲以及軟開關拓撲，例如有源鉗位反激式和有源鉗位正激式。
寬電源電壓范圍為4.75V至9.5V，可方便地連接到現(xiàn)有電源軌。內置保護進一步簡化了設計，包括柵極驅動器互鎖，低側和高側欠壓鎖定（UVLO）以及過熱保護。還有一個專用的關斷引腳。
作為此次發(fā)布的一部分，ST還推出了專用的原型板（EVALMASTERGAN4），該板提供了一套完整的功能，可通過單個或互補的驅動信號來驅動MasterGaN4。還提供了一個可調的死區(qū)時間發(fā)生器。該電路板使用戶可以靈活地應用單獨的輸入信號或PWM信號，插入外部自舉二極管，分離邏輯和柵極驅動器電源軌，以及使用一個低側并聯(lián)電阻器來實現(xiàn)峰值電流模式拓撲。
MasterGaN4現(xiàn)已開始生產，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝，爬電距離超過2mm，可在高壓應用中安全使用。
編輯：ls 最后修改時間：2022-06-27
