意法半導(dǎo)體600V / 3.5A全橋系統(tǒng)級(jí)封裝靈活多變，安全可靠，節(jié)省空間
中國(guó)，2018年11月6日 -意法半導(dǎo)體的PWD5F60高功率驅(qū)動(dòng)器是意法半導(dǎo)體高壓有刷直流電機(jī)和單相無(wú)刷直流電機(jī)功率驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)封裝產(chǎn)品系列的第二款產(chǎn)品，在15mm x 7mm封裝內(nèi)集成了600V / 3.5A MOSFET單相全橋與柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管、保護(hù)功能和兩個(gè)比較器。散熱效率更高的系統(tǒng)級(jí)封裝比分立器件少占用電路板空間60％，同時(shí)可提高可靠性，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和封裝。 PWD5F60是為控制工業(yè)泵、工業(yè)風(fēng)扇、鼓風(fēng)機(jī)、家電和工廠自動(dòng)化等系統(tǒng)中的有刷直流電機(jī)專門設(shè)計(jì)的單相全橋模塊，特別適用于采用單相無(wú)刷電機(jī)以保證高耐用性、高能效且成本合理的產(chǎn)品設(shè)備，良好的經(jīng)濟(jì)性和便利性使其也適用于電源。
PWD5F60內(nèi)部集成導(dǎo)通電阻為1.38Ω的N溝道MOSFET，優(yōu)異的能效確保其能夠處理中等功率負(fù)載。優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器可提升開(kāi)關(guān)可靠性，降低EMI（電磁干擾），而集成的自舉二極管可實(shí)現(xiàn)高壓?jiǎn)?dòng)，高邊輸入供電無(wú)需外部二極管和無(wú)源器件。 兩個(gè)未受限的嵌入式比較器確保模塊配置靈活多變，可以輕松實(shí)現(xiàn)峰值電流控制或過(guò)流和過(guò)熱保護(hù)功能。峰值電流控制配合霍爾效應(yīng)定位傳感器，無(wú)需專用MCU即可實(shí)現(xiàn)獨(dú)立的控制器，從而大幅降低控制電子系統(tǒng)成本。其它靈活性功能包括可調(diào)節(jié)的死區(qū)時(shí)間以及將MOSFET配置為單個(gè)全橋或兩個(gè)半橋。工作電壓范圍從10V擴(kuò)至20V，輸入兼容3.3V-15V控制信號(hào)，簡(jiǎn)化模塊與霍爾傳感器或主微控制器或DSP的連接。 驅(qū)動(dòng)器模塊已經(jīng)內(nèi)置防交叉?zhèn)鲗?dǎo)和欠壓鎖定兩項(xiàng)保護(hù)功能，以防止器件在低效率或危險(xiǎn)條件下工作。 PWD5F60現(xiàn)已量產(chǎn)并上市銷售，采用多基島VFQFPN封裝。新器件將在2018年慕尼黑電子展C3 / 101大廳意法半導(dǎo)體展臺(tái)展出（11月13日至16日）。 
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2019-01-03
