ST推出功能豐富的電氣隔離柵極驅動器，為碳化硅或硅功率晶體管提供更好控制和保護
- 有源米勒鉗位選配，提升高速開關抗干擾能力 中國，2018年8月3日——意法半導體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，準許用戶選擇獨立的導通/關斷輸出或內部有源米勒鉗位功能，可用于各種開關拓撲控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。 STGAP2SCM配備一個有源米勒鉗位專用引腳，為設計人員防止半橋配置晶體管意外導通提供一個簡便的解決方案。在MOSFET關斷狀態(tài)時，該引腳可將所連MOSFET的柵電壓限制在隔離接地電壓，直到下一個真正的導通信號出現為止。 STGAP2SM具有獨立的導通/關斷輸出，可配合兩個外部柵極電阻來優(yōu)化晶體管開關性能。
STGAP2S柵極驅動器全系標配4A軌到軌輸出，即使驅動大功率逆變器，也能保證開關操作快速、高效。輸入到輸出傳播延遲在80ns以內，在高開關頻率下確保PWM控制精確，滿足SiC器件的驅動要求。出色的抗dV / dt共模瞬變干擾能力，使其能夠防止耗能的雜散開關操作。 這些器件內置1700V電氣隔離功能，可以降低消費級或工業(yè)電機驅動器、600V或1200V變頻器、DC / DC轉換器、充電器、電焊機、感應爐、不間斷電源（UPS）和功率因數校正（PFC）控制器的物料成本。 這些產品集成全面的保護功能，其中，欠壓鎖定（UVLO）可在電源電壓過低時保護電源開關。此外，過熱保護和硬件互鎖可以防止半橋電路中的高邊/低邊交叉導通；待機模式可在節(jié)省電源的同時將輸出保持在安全狀態(tài)。 EVALSTGAP2SCM評估板提供了一個快速、簡便的開發(fā)方法，方便設計人員快速開始設計。 STGAP2SCM現已上市，STGAP2SM于2018年第四季度上市，采用緊湊型工業(yè)標準SO-8功率封裝。 相關新聞 意法半導體高功率電子熔斷器集成增值保護功能，提高安全性和可靠性 意法半導體(ST)完整全橋系統封裝內置MOSFET、柵驅動器和保護技術以節(jié)省空間，簡化設計，精簡組裝 意法半導體600V超結功率模塊引入新封裝和新功能，簡化電機驅動電路設計 
編輯：admin 最后修改時間：2019-01-03
