mos管的電路符號(hào)解析

mos管的電路符號(hào)詳解。MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

MOS管的電路符號(hào)

MOS管的電路符號(hào)會(huì)有多種變化，電路中最常見(jiàn)的設(shè)計(jì)是以一條直線代表通道，兩條和通道垂直的線代表源極與漏極，左方和通道平行而且較短的線代表柵極，有時(shí)也會(huì)將代表通道的直線以破折線代替，主要用于區(qū)分增強(qiáng)型MOSFET或是耗盡型MOSFET。

集成電路芯片上的MOS管為四端元件，除了柵極、源極、漏極外，尚有一基極。MOSFET電路符號(hào)中，從通道往右延伸的箭號(hào)方向則可表示此元件為N型或是P型的MOSFET。箭頭方向永遠(yuǎn)從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET，或簡(jiǎn)稱PMOS（代表此元件的通道為P型）；反之若箭頭從基極指向通道，則代表基極為P型，而通道為N型，此元件為N型的MOSFET，簡(jiǎn)稱NMOS。在一般分布式MOSFET元件中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。而在集成電路中的MOSFET通常因?yàn)槭褂猛粋�(gè)基極，所以不標(biāo)示出基極的極性，而在PMOS的柵極端多加一個(gè)圓圈以示區(qū)別。

MOS管和晶體管的應(yīng)用區(qū)別及優(yōu)勢(shì)

MOS管是可以控制電壓的元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用MOS管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。

MOS管主要利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，被稱之為雙極型器件。有些MOS管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。MOS管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多MOS管集成在一塊硅片上，因此MOS管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。

場(chǎng)效應(yīng)管電路圖符號(hào)識(shí)圖

場(chǎng)效應(yīng)管電路圖符號(hào)，在電路圖中它常用

表示，關(guān)于它的構(gòu)造原理由于比較抽象，由于根據(jù)使用的場(chǎng)合要求不同做出來(lái)的種類繁多，特性也都不盡相同;我們?cè)趍pn中常用的一般是作為電源供電的電控之開(kāi)關(guān)使用，所以需要通過(guò)電流比較大，所以是使用的比較特殊的一種制造方法做出來(lái)了增強(qiáng)型 的場(chǎng)效應(yīng)管(MOS型)，它的電路圖符號(hào)：

場(chǎng)效應(yīng)管電路圖符號(hào)仔細(xì)看看你會(huì)發(fā)現(xiàn)，這兩個(gè)圖似乎有差別，對(duì)了，這實(shí)際上是兩種不同的增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，第一個(gè)那個(gè)叫N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，第二個(gè)那個(gè)叫P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，它們的的作用是剛好相反的。前面說(shuō)過(guò)，場(chǎng)效應(yīng)管是用電控制的開(kāi)關(guān)，那么我們就先講一下怎么使用它來(lái)當(dāng)開(kāi)關(guān)的，從圖中我們可以看到它也像三極管一樣有三個(gè)腳，這三個(gè)腳分別叫做柵極(G)、源極(S)和漏極(D)，mpn中的貼片元件示意圖是這個(gè)樣子:

1腳就是柵極，這個(gè)柵極就是控制極，在柵極加上電壓和不加上電壓來(lái)控制2腳和3腳的相通與不相通，N溝道的，在柵極加上電壓2腳和3腳就通電了，去掉電壓就關(guān)斷了，而P溝道的剛好相反，在柵極加上電壓就關(guān)斷(高電位)，去掉電壓(低電位)就相通了!