MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用及MOS管極的測試步驟

MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用及MOS管極的測試步驟

在電源電路中，功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個(gè)電阻用什么作用呢？

如上圖開關(guān)電源，G串聯(lián)電阻R13。這個(gè)電阻的作用有2個(gè)作用：限制G極電流，抑制振蕩。

限制G極電流

MOS管是由電壓驅(qū)動(dòng)的，是以G級(jí)電流很小，但是因?yàn)榧纳娙莸拇嬖冢贛OS管打開或關(guān)閉的時(shí)候，因?yàn)橐獙?duì)電容進(jìn)行充電，所有瞬間電流還是比較大的。特別是在開關(guān)電源中，MOS管頻繁的開啟和關(guān)閉，那么就要更要考慮這個(gè)帶來的影響了。

如上圖，MOS管的寄生電容有三個(gè)，Cgs，Cgd，Cds

一般在MOS管規(guī)格書中，一般會(huì)標(biāo)下面三個(gè)參數(shù)：Ciss，Coss，Crss，他們與寄生電容的關(guān)系如下：

Ciss=Cgs+Cgd

Coss=Cds+Cgd

Crss=Cgd

如以MOS管FDS2582為例：

Ciss=1290pF，可以看到，這個(gè)寄生電容是很可觀的。

簡單估算一下，假設(shè)Vgs=10V，dt=Tr(上升時(shí)間)=20ns ，Ciss=1290pF，那么可得G極在開關(guān)時(shí)的瞬間電流I=Ciss*dVgs/dt =0.6A。

在基極串聯(lián)一個(gè)電阻，與Ciss形成一個(gè)RC充放電電路，可以減小瞬間電流值，不至于損毀MOS管的驅(qū)動(dòng)芯片。

因?yàn)樵黾拥倪@個(gè)電阻，會(huì)減緩MOS管的開啟與通斷時(shí)間，增加損耗，所以不能接太大。這也是為什么電阻是幾歐姆或者幾十歐姆的原因所在。

抑制振蕩

MOS管接入電路，也會(huì)有引線產(chǎn)生的寄生電感的存在，與寄生電容一起，形成LC振蕩電路。對(duì)于開關(guān)方波波形，是有很多頻率成分存在的，那么很可能與諧振頻率相同或者相近，形成串聯(lián)諧振電路。串聯(lián)一個(gè)電阻，可以減小振蕩電路的Q值，是振蕩快速衰減，不至于引起電路故障。

MOS管G極、S極、D極測試步驟

測試步驟：

MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。

其步驟如下：

假如有阻值沒被測MOS管有漏電現(xiàn)象。

1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電，不變則完好。

2、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來，假如指針立刻返回?zé)o限大，則MOS完好。

3、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應(yīng)該是無限大。

4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時(shí)表針指示的值一般是0，這時(shí)是下電荷通過這個(gè)電阻對(duì)MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵極電場，因?yàn)殡妶霎a(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通，故萬用表指針偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)的角度大，放電性越好。