mos管的特點(diǎn)及特性-MOS管和IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)等詳解

mos管的特點(diǎn)

mos管的特點(diǎn)是什么？MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件；和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢，在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來越普遍的應(yīng)用。

MOS管解析

場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。

mos管的特點(diǎn)

MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。

MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。

mos管的特點(diǎn)

有的MOSFET內(nèi)部會(huì)有個(gè)二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。

mos管的特點(diǎn)

關(guān)于寄生二極管的作用，有兩種解釋：

1、MOSFET 的寄生二極管，作用是防止 VDD 過壓的情況下，燒壞 MOS 管，因?yàn)樵谶^壓對 MOS 管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免 MOS 管被燒壞。

2、防止 MOS 管的源極和漏極反接時(shí)燒壞 MOS 管，也可以在電路有反向感生電壓時(shí)，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。

MOSFET 具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關(guān)等用途。

mos管的特點(diǎn)-MOS管和IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

MOS管和IGBT管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。

mos管的特點(diǎn)

IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。

IGBT 的理想等效電路如下圖所示，IGBT 實(shí)際就是 MOSFET 和晶體管三極管的組合，MOSFET 存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但 IGBT 克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí) IGBT 仍具有較低的導(dǎo)通電阻。

mos管的特點(diǎn)

另外，相似功率容量的 IGBT 和 MOSFET，IGBT 的速度可能會(huì)慢于 MOSFET，因?yàn)?IGBT 存在關(guān)斷拖尾時(shí)間，由于 IGBT 關(guān)斷拖尾時(shí)間長，死區(qū)時(shí)間也要加長，從而會(huì)影響開關(guān)頻率。