MOS管開(kāi)關(guān)電流知識(shí)-mosfet管開(kāi)關(guān)電流波形問(wèn)題分析

MOS管開(kāi)關(guān)電流知識(shí)-mosfet管開(kāi)關(guān)電流波形問(wèn)題分析

MOS管開(kāi)關(guān)電路

MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。

P溝道MOS管開(kāi)關(guān)電路

路編輯PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅(qū)動(dòng)）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與源極S的電壓，即柵極低于電源一定電壓就導(dǎo)通，而非相對(duì)于地的電壓。但是因?yàn)镻MOS導(dǎo)通內(nèi)阻比較大，所以只適用低功率的情況。大功率仍然使用N溝道MOS管。

N溝道m(xù)os管開(kāi)關(guān)電路

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓大于參數(shù)手冊(cè)中給定的Vgs就可以了，漏極D接電源，源極S接地。需要注意的是Vgs指的是柵極G與源極S的壓差，所以當(dāng)NMOS作為高端驅(qū)動(dòng)時(shí)候，當(dāng)漏極D與源極S導(dǎo)通時(shí)，漏極D與源極S電勢(shì)相等，那么柵極G必須高于源極S與漏極D電壓，漏極D與源極S才能繼續(xù)導(dǎo)通。

mosfet管開(kāi)關(guān)電流波形問(wèn)題分析

圖1

這里就用MOSFET代替BJT了，所以ids = ic，Vds=Vce，Coss也就是Cds代表輸出電容。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是當(dāng)MOS管一開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)輸出電容Coss還保持Vds電壓，隨著Ids電流越來(lái)越大，Vds電壓終于保持不住，開(kāi)始下降。直到管子完全開(kāi)啟。比較詳細(xì)的開(kāi)啟過(guò)程是由Miller Plateau造成的，這里借用了網(wǎng)上一些解釋Miller Plateau的圖，如果有不清楚的就請(qǐng)見(jiàn)諒了。

階段1，Vgs 《 Vth，管子是關(guān)斷的，所以Ids = 0，Vds=high，ig充電Cgs。

階段2，Vgs 》 Vth，管子開(kāi)啟，Ids從0增加到iL被外部電流源電感鉗住，Coss（Cds）上電壓不能突變，保持Vds。

階段3，進(jìn)入Miller plateau，Vgs 》 Vth，管子仍然保持開(kāi)啟，Coss開(kāi)始discharge，Vds電壓開(kāi)始下降，于此同時(shí)Cgd開(kāi)始被ig充電。Vg保持不變。

階段4，Vd下降到接近0點(diǎn)，ig繼續(xù)給ig充電Cgs和Cgd充電。

階段5，Vg到達(dá)gate driver預(yù)定的電壓，管子開(kāi)啟過(guò)程完成。

關(guān)斷過(guò)程和開(kāi)啟過(guò)程類(lèi)似，也會(huì)有Miller plateau效應(yīng)。

我們可以看到，如果如果MOS管開(kāi)啟時(shí)VDS上有原始電壓，那么MOS開(kāi)啟過(guò)程中就會(huì)有Ids和Vds的重疊，那么會(huì)帶來(lái)Switching Loss。由于Coss上的能量在極短時(shí)間內(nèi)被釋放，電容上能量會(huì)損失掉（換算為L(zhǎng)oss為0.5*Coss*Vds^2*fs），而且只要是非零電壓開(kāi)啟（Non Zero Voltage Switching），會(huì)給PCB和MOS的寄生電感與電容形成的諧振腔（resonant tank）引入比較大的dv/dt或者di/dt激勵(lì)，引起比較大的ringing，甚至超過(guò)管子的額定電壓，燒毀管子。

那么我們可以避免這種情況的發(fā)生嗎？答案是可以的，也就是很多人提到的Zero Voltage Switching，雖然會(huì)付出一定的代價(jià)。我們先看如何能實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)開(kāi)啟Zero Voltage Switching Turn on。

圖2

實(shí)現(xiàn)ZVS turn on很簡(jiǎn)單，只需要在我們開(kāi)啟管子前，Vds上的電壓為零就好，這樣Ids和Vds就沒(méi)有重疊了，turn on switching loss為零，沒(méi)有high di/dt， dv/dt問(wèn)題，沒(méi)有ringing，完美！那么如何實(shí)現(xiàn)ZVS turn on呢？個(gè)人覺(jué)得分兩種情況討論：1為PWM converter，2為resonant converter（諧振變換器）。

一， 對(duì)于PWM converter，就拿最簡(jiǎn)單的兩個(gè)管子的half bridge（其實(shí)也就是buck converter）做例子。

圖3

對(duì)于half bridge 實(shí)現(xiàn)ZVS turn on，我們希望當(dāng)上管Q1開(kāi)啟時(shí)電流是流進(jìn)switching node （vsw）的，也就是圖中電感電流為負(fù)值，當(dāng)下管Q2開(kāi)啟時(shí)我們希望電流是流出switching node （vsw）的，也就是電感電流為正值。為什么這樣就可以實(shí)現(xiàn)ZVS turn on了呢？我們就看上管Q1開(kāi)啟過(guò)程。如果電感電流iL為負(fù)，這時(shí)候我們先關(guān)閉Q2，這時(shí)候Q1還未開(kāi)啟，在這個(gè)deadTIme中iL會(huì)charge Q2的Coss，使Vsw抬高到Vin，當(dāng)然不能超過(guò)Vin，因?yàn)镼1的body diode會(huì)導(dǎo)通，鉗位住Vsw到Vin，這時(shí)候Q1的Vds就是Vin-Vsw=0，這時(shí)候我們開(kāi)啟Q1就實(shí)現(xiàn)ZVS了。

同理對(duì)于Q2開(kāi)啟時(shí)，如果電感電流為正，那么當(dāng)我們首先關(guān)閉Q1管時(shí)，Vsw就會(huì)被電感電流拉低到0，因?yàn)閕L》0， Q2的Coss會(huì)discharged到0，然后我們?cè)匍_(kāi)啟Q2，就可以達(dá)到ZVS了。這里我有一張其他Topology的PWM converter的波形圖，也和buck工作原理類(lèi)似，大概可以看看基本原理，也就是電感電流為負(fù)時(shí)，Q1可以實(shí)現(xiàn)ZVS，讓Vsw的ringing比較小。而當(dāng)電感電流為正時(shí)，實(shí)現(xiàn)不了ZVS，Vsw的ringing就比較大了。

圖4

二， 對(duì)于resonant converter，其實(shí)道理類(lèi)似，我們也希望在我們開(kāi)啟管子前，Vds上的電壓為零。那么對(duì)于resonant converter的half bridge，我們希望看到的impedance為inducTIve，也就是感性的，這樣switching node流出的電流I就會(huì)滯后于電壓V，現(xiàn)在ZVS turn on。

圖5

這是因?yàn)槿绻娏鱅是滯后與電壓V的，這樣在Q1開(kāi)啟之前電流I為負(fù)值就會(huì)charge Q2的Coss，同時(shí)discharge Q1的Coss，讓V到Vin，這樣Q1就實(shí)現(xiàn)ZVS turn on了。Q2開(kāi)啟之前，電流I為正，也會(huì)discharge Q2的Coss，和charge Q1的Coss，讓V到0，這樣Q2就實(shí)現(xiàn)ZVS了。