新唐M2L31微控制器MCU系列:提升能效與性能
新唐科技推出 M2L31 微控制器：提升能效與性能
Arm Cortex-M23: 極低功耗，優(yōu)異性能
新唐科技推出 M2L31 微控制器
低功耗 MCU
采用 Arm Cortex-M23
正常運(yùn)行電流為 60 μA/MHz
深度掉電模式下功耗僅0.5 μA
新型高性能 ReRAM (電阻式內(nèi)存)
支持 USB Type-C PD 3.0
內(nèi)建 64 到 512 Kbytes 的 ReRAM
多種封裝選項
在能效至關(guān)重要的時代，新唐科技宣布推出全新的 Arm Cortex-M23 M2L31 微控制器系列。為滿足對高效能嵌入式計算需求日益增長的需求，M2L31 系列以其低功耗和高效能脫穎而出，運(yùn)行速度可達(dá) 72MHz，能提供卓越的處理能力。
新唐 NuMicro M2L31 微控制器，采用 Arm Cortex-M23 核心，并配有 64 到 512 Kbytes 的 ReRAM（電阻式內(nèi)存）和 40 到 168 Kbytes 的 SRAM，是一款為可持續(xù)性和優(yōu)異能效設(shè)計的低功耗產(chǎn)品。M2L31 系列支持兩個 CAN FD 和兩個 USB Type-C PD 3.0 接口，并優(yōu)先考慮穩(wěn)健的安全功能來保護(hù)寶貴的數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)。
芯片內(nèi)建 ReRAM 優(yōu)于傳統(tǒng)閃存
M2L31 系列超越了傳統(tǒng)的 MCU，整合了基于與臺積電合作開發(fā)的制程技術(shù)的 ReRAM。這種新型非揮發(fā)性內(nèi)存透過避免傳統(tǒng)閃存中耗時的「擦除后寫入」過程，加速了寫入操作，同時提供了更低的能耗和更好的耐用性。
過去ReRAM 主要用于 DRAM 或 NAND 閃存市場。隨著新唐科技下一代 M2L31 微控制器的推出，工業(yè)和消費(fèi)性領(lǐng)域的開發(fā)人員也能享受到 ReRAM 的諸多優(yōu)勢。
廣泛的周邊接口與程序開發(fā)支持
為滿足多樣的設(shè)計需求并降低尺寸和成本，M2L31 系列支持廣泛的 I/O 和外圍設(shè)備，包括 UART、I2C、SPI/ I2S 和多個 USB 選項，并支持多達(dá) 16 通道的電容觸控。多種芯片封裝選項確保了與其他新唐產(chǎn)品的兼容性，滿足大多數(shù)應(yīng)用需求。
新唐科技致力于為開發(fā)人員提供強(qiáng)大的生態(tài)系統(tǒng)，包括 M2L31 NuMaker 開發(fā)板和 Nu-Link 除錯器。M2L31 系列兼容多種 IDE，如 Keil MDK、IAR EWARM 和 NuEclipse IDE，使用 GNU GCC 編譯程序。還支持多種程序更新方法，如 ISP 和 IAP，簡化系統(tǒng)升級和軟件更新，為開發(fā)人員和使用者提供了最大的靈活性和便利性。
關(guān)于M2L31 系列的更多信息，請參見：https://www.nuvoton.com/products/microcontrollers/arm-cortex-m23-mcus/m2l31-series
關(guān)于M2L31 系列的簡短介紹影片請參見：https://www.bilibili.com/video/BV1JK421a7rc/?spm_id_from=333.999.0.0
編輯：admin 最后修改時間：2024-07-04
