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新唐M0564LE4AE單片機(jī)(含參數(shù)與中文資料)

關(guān)鍵字:新唐單片機(jī) nuvoton單片機(jī) 32位單片機(jī) 作者:YTX 來(lái)源:YTX 發(fā)布時(shí)間:2018-05-28  瀏覽:23

M0564LE4AE

M0564LE4AE 為32位元單片機(jī),內(nèi)建ARM® Cortex®-M0 內(nèi)核,速度高達(dá)72 MHz。主要產(chǎn)品特色包含可調(diào)式VDDIO管腳,其接受寬電壓范圍為1.8V到5.5V,便于連接與VDD電壓不同之外部元件,達(dá)成更彈性的設(shè)計(jì);PWM運(yùn)行速度最高可達(dá)到144 MHz,提供高精準(zhǔn)度控制;內(nèi)建硬件除法器,提升軟件執(zhí)行速度;此外,M0564LE4AE 內(nèi)建SPROM (Security Protection ROM),提供一個(gè)獨(dú)立且安全加密執(zhí)行區(qū)域,以保護(hù)開發(fā)者的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。M0564LE4AE 可廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、馬達(dá)控制、電表等相關(guān)應(yīng)用。

M0564LE4AE 支援2.5V至5.5V寬電壓范圍與-40℃至105℃工作溫度,具128 Kbytes Flash記憶體、內(nèi)建20 Kbytes SRAM、4 Kbytes獨(dú)立Flash作為線上系統(tǒng)更新ISP (In-System Programming),同時(shí)也具備線上電路更新ICP (In-Circuit Programming),以及線上應(yīng)用程式更新IAP (In-Application Programming)。M0564LE4AE 具備高抗干擾能力8KV ESD(HBM)/4KV EFT,并內(nèi)嵌豐富通訊周邊,如:計(jì)時(shí)器、看門狗、RTC、PDMA、EBI、UART、Smart Card interface、SPI、I2S、I2C、GPIO、高達(dá)12組通道的16位PWM、高達(dá)10組通道的12位ADC、類比比較器、溫度檢測(cè)、低電壓重設(shè)和欠壓檢測(cè)、96位 UID (Unique Identification)與128位UCID (Unique Customer Identification);提供LQFP48封裝。

應(yīng)用領(lǐng)域 :

工業(yè)控制、馬達(dá)控制、電表相關(guān)應(yīng)用等。


關(guān)鍵特性 :
  • 內(nèi)核(core)

    - ARM Cortex®-M0

    - 工作頻率可達(dá) 72 MHz

    - 工作電壓: 2.5V 至 5.5V

    - 工作溫度: -40℃ 至 105℃

  • 記憶體(memory)

    - 128 KB應(yīng)用程式 Flash

    - 內(nèi)嵌20 KB SRAM

    - 獨(dú)立4 KB ISP ROM

    - 2 KBSPROM(Security Protection ROM)

    - 支持程序更新方式:

    線上系統(tǒng)更新ISP (In-System Programming)

    線上電路更新ICP (In-Circuit Programming)

    線上應(yīng)用程序更新IAP (In-Application Programming)

  • 類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器(ADC)

    - 12位10通道ADC

    - 每秒轉(zhuǎn)換速率可達(dá)800 kSPS

  • 脈波寬度調(diào)變 (PWM)

    - 最高運(yùn)行速度可達(dá)144 MHz

    - 內(nèi)建16位PWM產(chǎn)生器,可輸出12路PWM或6組互補(bǔ)配對(duì)PWM

    - PWM輸出可以觸發(fā)A/D轉(zhuǎn)換

  • 通訊介面(connectivity)

    - 三組 USCI可設(shè)為UART、SPI、I2C

    - 三組UART

    - 兩組SPI[I2S],擇一設(shè)置

    - 兩組SC[UART],擇一設(shè)置

    - 兩組 I2C

    - 提供一組16/8位外擴(kuò)介面(EBI)

  • 時(shí)鐘控制(clock control)

    - 內(nèi)部48 KHz 高速晶振 (HIRC48)
    - 內(nèi)部10 KHz 低速晶振

    - 內(nèi)部22.1184 MHz振蕩器 (HIRC, 1% 精準(zhǔn)度25℃, 5V)

    - 外部32.768低速晶振

    - 外部4 to 24 MHz 高速晶振

編輯:admin  最后修改時(shí)間:2018-05-28

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