Qorvo 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 54m750V SiC FETs
全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo (納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布,將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術(shù),其高性能具體表現(xiàn)在:750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導(dǎo)通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產(chǎn)品 TOLL 封裝系列中的首發(fā)產(chǎn)品,其導(dǎo)通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于空間極其有限的應(yīng)用場景,如從幾百瓦到千萬瓦的交流 / 直流電源以及高達(dá) 100A 的固態(tài)繼電器和斷路器。有助于幫助客戶減小體積尺寸,提高功率密度。
在 600 / 750V 這一層次電壓功率 FETs 類別中,Qorvo 第四代 (Gen 4) SiC FETs 產(chǎn)品的主要性能:比如導(dǎo)通電阻和輸出電容方面領(lǐng)先業(yè)界。此外,在 TOLL 封裝中,Qorvo 的器件具有最低 5.4 mΩ 的導(dǎo)通電阻,比目前市場同類產(chǎn)品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶體管的導(dǎo)通阻抗還要低上 4-10 倍。SiC FETs 的 750V 額定電壓也比其它的一些替代技術(shù)高100-150V,為客戶產(chǎn)品應(yīng)用中的開關(guān)管電壓瞬變尖峰提供了更多的設(shè)計裕量。
Qorvo 電源器件事業(yè)部首席工程師 Anup Bhalla 表示:“在 TOLL 封裝中推出我們的 5.4 mΩ Gen4 SiC FET 旨在為行業(yè)提供最佳性能器件以及多種器件選擇,為此我們已邁出重要的一步,尤其對于從事工業(yè)應(yīng)用的客戶,他們需要這種靈活性和提升成本效益的電源設(shè)計組合!
TOLL 封裝與 D2PAK 表面貼裝器件相比,尺寸減少了 30%,高度為 2.3mm,相當(dāng)于同類產(chǎn)品的一半。盡管尺寸縮小,但先進(jìn)的制造技術(shù)實現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的 0.1℃ / W熱阻(從結(jié)到殼)。導(dǎo)通直流電流額定值最大為 120A,此時對應(yīng)的殼溫為 144℃,在 0.5 毫秒時間內(nèi),脈沖沖擊電流最大值可以達(dá)到 588A。結(jié)合極低的導(dǎo)通電阻和出色的瞬態(tài)散熱能力,Qorvo 的 750V TOLL 封裝產(chǎn)品的“I2t”值比同一封裝的 Si MOSFET 高出約 8 倍,有助于提高客戶產(chǎn)品的魯棒性和抗瞬態(tài)過載能力,同時也簡化了設(shè)計。TOLL 封裝還提供了開爾文連接以實現(xiàn)可靠的高速轉(zhuǎn)換。
這些第四代 SiC FET 利用 Qorvo 獨特的 Cascode 電路結(jié)構(gòu)(即共源共柵),將 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝在一個器件內(nèi)部,以發(fā)揮寬禁帶開關(guān)技術(shù)的高效率優(yōu)勢和 Si MOSFET 簡化的門級驅(qū)動的優(yōu)勢。
現(xiàn)在可使用 Qorvo 免費在線工具 FET-JET 計算 TOLL 封裝的 Gen4 5.4mΩ SiC FET,該計算器可以立即評估各種交流 / 直流和隔離 / 非隔離的DC / DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)溥B接的效率、元器件損耗和結(jié)溫上升。可將單個和并聯(lián)的器件在用戶指定的散熱條件下進(jìn)行對比,以獲取最佳解決方案。
如欲了解更多Qorvo電源應(yīng)用的先進(jìn)解決方案,請訪問https://www.qorvo.com/innovation/power-solutions。
3 月 19 日至 23 日,該系列產(chǎn)品于位于佛羅里達(dá)州奧蘭多舉行的應(yīng)用電源電子產(chǎn)品會議 (APEC) 上展示,Qorvo 展位號 632。如欲了解有關(guān) Qorvo 在 APEC 上展出的更多創(chuàng)新技術(shù),或者欲與 Qorvo 安排現(xiàn)場會議和采訪,請訪問https://www.qorvo.com/newsroom/trade-shows/apec-2023。
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編輯:zqy 最后修改時間:2023-03-25