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三菱電機將砸約51億元蓋新廠!增產(chǎn) SiC 功率半導(dǎo)體

關(guān)鍵字:碳化硅功率半導(dǎo)體 SiC功率半導(dǎo)體 SiC晶圓產(chǎn)線 作者: 來源: 發(fā)布時間:2023-03-17  瀏覽:17

因來自電動車(EV)的需求旺,日本三菱電機(Mitsubishi Electric)將砸千億日圓、蓋新廠,增產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體,對功率半導(dǎo)體事業(yè)的設(shè)備投資計劃將倍增。

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三菱電機3月14日宣布,將增產(chǎn)SiC功率半導(dǎo)體,主因EV用需求旺,帶動市場預(yù)估將呈現(xiàn)急速成長。三菱電機將投資約1,000億日圓,在熊本縣菊池市的現(xiàn)有工廠廠區(qū)內(nèi)興建新廠房,該座新廠將導(dǎo)入8吋SiC晶圓產(chǎn)線,預(yù)計2026年4月啟用生產(chǎn),三菱電機并將擴增位于熊本縣合志市的工廠的6吋晶圓產(chǎn)能。

日媒指出,藉由上述增產(chǎn)投資,2026年度時,三菱電機SiC晶圓產(chǎn)能將擴增至2022年度的約5倍水平。

三菱電機指出,包含上述投資計算,2021-2025年度的5年期間,該公司對功率半導(dǎo)體事業(yè)的設(shè)備投資計劃合計將達2,600億日圓,投資規(guī)模將較原先計劃值(1,300億日圓)倍增。

半導(dǎo)體制造工程可大致分為在硅晶圓上形成電路的「前段制程」和進行組裝、封測等的「后段制程」,而三菱電機上述位于熊本縣的2座據(jù)點皆屬于「前段制程」據(jù)點。在「后段制程」部分,三菱電機計劃投資約100億日圓在「Power Device Manufacturer(位于福岡市)」內(nèi)興建新廠房。

日媒報導(dǎo),2021年三菱電機SiC功率半導(dǎo)體全球市占率排第6,在日廠中、僅次于位居第四位的Rohm。富士電機、東芝也擠進全球前10大之列,龍頭廠為瑞士STMicroelectronics。

編輯:zqy  最后修改時間:2023-03-17

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