EPC和uPI Semiconductor將使用uP1966提供GaN解決方案
EPC和uPI Semiconductor合作向市場(chǎng)提供uP1966 GaN半橋驅(qū)動(dòng)器。
uP1966E是一個(gè)85 V雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)半橋和全橋拓?fù)渲械母邆?cè)和低側(cè)eGaN®FETS。該驅(qū)動(dòng)器集成了內(nèi)部自舉電源和UVLO，尺寸為1.6 mm x 1.6 mm WLCSP。
uP1966E可與EPC eGaN FET一起用于橋式拓?fù)，包括DC-DC降壓和升壓轉(zhuǎn)換器、LLC DC-DC轉(zhuǎn)換器、降壓-升壓轉(zhuǎn)換器或用于電池充電的雙向轉(zhuǎn)換器。
uP1966E額定電壓為85 V，適合與EPC 80 V和100 V FET以及集成半橋配對(duì)。
uP1966E驅(qū)動(dòng)程序在包括DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器在內(nèi)的許多EPC評(píng)估板上均有體現(xiàn)；EPC9143、EPC9153、DC-DC LLC轉(zhuǎn)換器EPC9149以及大多數(shù)通用的80V和100V半橋評(píng)估板，其中EPC9097和EPC90123是最受歡迎的。
將u1966E與EPC GaN晶體管配對(duì)提供了一個(gè)非常經(jīng)濟(jì)高效的驅(qū)動(dòng)器，降低了總解決方案成本，并加快了基于GaN的設(shè)計(jì)的上市時(shí)間。
關(guān)于EPC EPC是基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN®）的電源管理領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者。eGaN FET和集成電路在DC-DC轉(zhuǎn)換器、遙感技術(shù)（激光雷達(dá)）、移動(dòng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、機(jī)器人和無人機(jī)以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用中提供的性能比最佳硅功率MOSFET高很多倍。
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編輯：zqy 最后修改時(shí)間：2022-12-21
