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華邦內(nèi)存編碼含義W25q64等命名規(guī)則

關(guān)鍵字:華邦存儲(chǔ) 命名規(guī)則 作者:admin 來源: 發(fā)布時(shí)間:2019-05-10  瀏覽:503

臺(tái)灣Winbond(華邦)產(chǎn)品命名含義說明:

A字段由W組成,代表華邦(Winbond)內(nèi)存芯片的前綴。

B字段表示產(chǎn)品類型。98代表SDRAM內(nèi)存94代表DDR SDRAM內(nèi)存。

C字段表示內(nèi)存芯片的容量。16代表16Mbit(2MB)32代表32Mbit(4MB)64代表64Mbit(8MB)12代表128Mbit(16MB)25代表256Mbit(32MB)。要計(jì)算內(nèi)存條的總?cè)萘,只需將?nèi)存芯片的容量乘上內(nèi)存芯片的數(shù)量即可。

D字段表示內(nèi)存結(jié)構(gòu)。08代表*816或G6代表*1632或G2代表*32。

E字段表示內(nèi)存芯片的修正版本。A代表第1版B代表第2版C代表第3版D代表第4版。

F字段表示內(nèi)存芯片的封裝方式。B代表60balls BGA、90balls BGA或144-Ball LF BGA封裝D代表100-Pin LQFP封裝H代表50-Pin 400mil TSOP、66-Pin 400mil TSOP或86-Pin 400mil TSOP封裝。

G字段表示內(nèi)存芯片的速度標(biāo)識(shí)。對(duì)于SDRAM而言:-5代表200MHz(CL=3)-6代表166MHz(CL=3)-7代表143MHz(CL=3)或PC133(CL=2)-75代表PC133(CL=3)-8H代表PC100(CL=2)。對(duì)于DDR SDRAM而言:-4代表250MHz(CL=3/4)-5代表DDR400(CL=2.5)-5H代表200MHz(CL=3)-55代表183MHz(CL=3)-6代表DDR333(CL=2.5)-7代表143MHz(CL=2.5)或DDR266(CL=2)-75代表DDR266(CL=2.5)。

H字段表示工作溫度類型(此字段也可空白)?瞻谆騆代表正常溫度(0℃~70℃),I代表工業(yè)溫度(-40℃~85℃)或擴(kuò)大溫度(-25℃~85℃)。

以上,Winbond(華邦)系列產(chǎn)品特點(diǎn)總結(jié),如您有疑問想洽談合作,不妨來咨詢華邦flash芯片代理-深圳穎特新科技;穎特新作為Winbond代理商,將竭盡全力為您服務(wù)。0755-82591179.

編輯:Simon  最后修改時(shí)間:2019-07-07

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