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mobile DDR

作者: 來源: 發(fā)布時間:2020-06-02  瀏覽:8

關(guān)鍵字: mobile DDR Mobile DDR(又稱為Low Power DDR 或 LPDDR) 是DDR SDRAM的一種,專門用于移動式電子產(chǎn)品。Mobile DDR采用Endur-IC技術(shù),最顯著的地方,電壓從 2.5 V 降低到1.8 V, 這是由于溫度補(bǔ)償更新(temperature-compensated refresh), LPDDR具有低功耗、高可靠性,目前以韓國三星 SK HYNIX與美光科技(Micron Technology)有這樣的技術(shù)。AppleiPad,Samsung Galaxy Tab以及Motorola Droid X都是用mDDRSAMSUNG 的主要是K4X 系列HYNIX 主要是H5MS 系列micron 的MT46H 系列Mobile SDRAM的固有刷新電流低,且擁有電源電壓低、溫度補(bǔ)償自動更新(TCSR)、局部陣列自動更新(PASR)和深度電源休眠(DPD)等手持式裝置需要的特殊特性,因此降低了依靠電池工作的手持系統(tǒng)功率耗損。它採用了個人電腦的DRAM技術(shù),但卻增加了適合手機(jī)的特性。Mobile DDR記憶體除了具有上述Mobile SDRAM的優(yōu)點外,它採用一種專門為行動系統(tǒng)設(shè)計的架構(gòu)及增強(qiáng)特性集,能提供先進(jìn)的電源指標(biāo)、優(yōu)異的頻寬性能和比標(biāo)準(zhǔn)DRAM更高的可靠性。這些元件可確保低功耗、高品質(zhì)、高可靠性以及整體設(shè)計強(qiáng)韌性。Mobile DDR採用了Endur-IC技術(shù),該技術(shù)利用了先進(jìn)的堆疊製程並結(jié)合了其它設(shè)計方法,因而為無線手持產(chǎn)品提供了低功耗、高品質(zhì)、高可靠性和整體的強(qiáng)韌性。Mobile-SDR/DDRs與一般的SDRAM不同的是1.較低的的功率消耗及多樣的電壓支援選擇(1.8V,2.5V,3.0V)2.體積更為縮小(FBGA)3.更高的記憶體容量(768M/1G with DDP)4.更高的工作速度(Mobile DDR 333Mbps)
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編輯:admin  最后修改時間:2020-06-02

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