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內(nèi)存 Q4 需求旺,三星、SK 海力士有望受惠

作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時間:2018-01-05  瀏覽:9

筆電用內(nèi)存需求動能強勁,甚至于NAND閃存已呈現(xiàn)缺貨,讓業(yè)界看好第四季DRAM與NAND閃存報價將大幅走揚,韓國三星與SK海力士有望受惠。

市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange指出,個人電腦用DRAM合約價9月報14.5美元,上漲7.4個百分點,且拜全球筆電需求超出預(yù)期所賜,DRAMeXchange看好DRAM第四季報價將沖到兩年新高。(koreaherald.com)

NAND閃存在此同時已有供給不足的狀況,據(jù)DRAMeXchange預(yù)測,第四季嵌入式多晶片封裝(eMCP)產(chǎn)品價格將上揚10-15%。eMCP可將NAND內(nèi)存與其他芯片做整合。

據(jù)傳,三星發(fā)展64層NAND閃存今年底將進入量產(chǎn),其位在首爾南方70公里處的平澤廠(Pyeongtaek)已接近完工階段,將成為擴充NAND閃存產(chǎn)能的即戰(zhàn)力。另外,海力士也正積極擴充NAND產(chǎn)能,其股價6日早盤一度來到2015年7月以來新高。



編輯:admin  最后修改時間:2018-01-05

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