趕超三星！東芝64層3D Flash試產(chǎn)送樣
韓國三星電子為全球第一家量產(chǎn)3D架構(gòu)NAND型快閃記憶體(FlashMemory)的廠商，不過其NAND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領(lǐng)先全球同業(yè)、研發(fā)出堆疊64層的3D Flash產(chǎn)品，且開始進行送樣。
東芝27日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D Flash制程技術(shù)，并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開始進行樣品出貨，且預(yù)計將透過甫于7月完工的四日市工廠“新第2廠房”進行生產(chǎn)。
東芝指出，采用上述制程技術(shù)的256Gb(32GB)產(chǎn)品預(yù)計將在2017年前半開始進行量產(chǎn)，主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心/PC用SSD、以及智能手機/平板電腦/記憶卡等市場，且今后也計劃推出512Gb(64GB)產(chǎn)品。
東芝表示，和48層產(chǎn)品相比，此次新研發(fā)的64層產(chǎn)品每單位面積的記憶容量擴大至1.4倍，且每片晶圓所能生產(chǎn)的記憶容量增加、每bit成本也下滑。
日本科技網(wǎng)站PC Watch報道，美國西數(shù)(WesternDigital)于當?shù)貢r間26日宣布，已研發(fā)出全球首見的64層3D Flash技術(shù)，且已透過和東芝共同營運的四日市工廠開始進行試產(chǎn)，之后預(yù)計于2017年上半年內(nèi)整備出可進行正式量產(chǎn)的體制。
中國臺灣媒體7月20日報道，64層3D NANDFlash極為重要，業(yè)界認為64層3D NAND Flash的出現(xiàn)，代表平面NAND Flash時代畫上句點。
西數(shù)26日飆漲3.21%，收53.74美元、創(chuàng)1月8日以來收盤新高水準。
ThomsonReuters、時事通信社報道，東芝(Toshiba)統(tǒng)籌記憶體事業(yè)的副社長成毛康雄7月6日在投資人說明會上表示，將強化3D Flash生產(chǎn)，目標在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。
日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(KoreaHerald)7月6日報道，未具名消息指稱，東芝打算與西數(shù)在未來三年攜手，對3-D NAND Flash投資1.5萬億日元(相當于146億美元)。根據(jù)雙方協(xié)議，東芝、西數(shù)會在日本三重縣四日市的現(xiàn)有合資廠房新增芯片制造設(shè)備，大多數(shù)的資金會用來安裝3-D NAND的制造裝置。
韓聯(lián)社7月12日報道，韓國三星電子2016年Q1(2016年1-3月)NAND型快閃記憶體(FlashMemoy)全球銷售額創(chuàng)下歷史新高，Q1三星NAND Flash銷售額較去年同期成長3.1%至26.15億美元，增幅是整體市場(成長1.6%)的近2倍水準，市占率也從前一季的42.0%上揚至42.6%。
排名第二位東芝(Toshiba)市占率雖從24.0%大幅揚升至28.0%，不過與三星之間仍有高達14.6個百分點的差距;第三位為美國美光(Mircon)的18.8%、韓國SK海力士則以10.6%的市占率位居第4位。
編輯：admin 最后修改時間：2018-01-05
